英飛凌推出OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列

　　英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會議和產(chǎn)品展示會上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過優(yōu)化，適合應(yīng)用于計算機服務(wù)器電源的電壓調(diào)節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開關(guān)。這種全新的MOSFET還被集成進滿足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。

　　通過大幅降低三個關(guān)鍵的能效優(yōu)值(FOM)，這種全新的器件無論在任何負載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時達到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電源的降壓轉(zhuǎn)換器的占板空間縮小40%以上。

　　例如，在一個六相穩(wěn)壓器設(shè)計中，采用一個5V柵極驅(qū)動的全新25V OptiMOS器件，在輸出電流為30A 至180A條件下，能效可超過90%，最高可達93%。這主要歸功于該器件具備行業(yè)最低的導(dǎo)通電阻、最低的柵極電荷以及最低的輸出電容等特性。英飛凌聲稱，它是全球第一家能夠提供同時具備這樣三種特性的器件的功率MOSFET供應(yīng)商。

　　據(jù)幾家市場研究公司的預(yù)測，2011年服務(wù)器保有量將達到6,000萬臺。這些服務(wù)器的平均功耗為600瓦，總耗電量高達36,000兆瓦。這些服務(wù)器的用電量每減少1%，即可節(jié)省360兆瓦的電能，相當于一座水電站的裝機容量。此外，更高效的電源的制冷需求相應(yīng)降低，從而進一步減少耗電量。

　　英飛凌科技低壓MOSFET產(chǎn)品線負責人Richard Kuncic指出：“更高效地使用能源，也就是說消耗更少的電能，是確保未來能源安全的最有效的途徑，英飛凌將為此做出巨大貢獻。英飛凌為工業(yè)、電信、消費類電子設(shè)備和家電等領(lǐng)域的產(chǎn)品提供非常強大和高效的MOSFET解決方案。我們設(shè)立了MOSFET的性能標桿。我們矢志鞏固我們作為MOSFET器件頭號供應(yīng)商的地位，使電源盡可能達到最高能效。通過推出這個全新的25V OptiMOS器件系列，我們能夠讓客戶設(shè)計出功耗和成本更低的產(chǎn)品。”

　　電源設(shè)計人員可通過采用25V OptiMOS器件，減少產(chǎn)品的用電量，降低其熱負載，甚至縮小其尺寸。這些改進對于數(shù)據(jù)中心運營商而言十分有益，因為服務(wù)器運行及制冷所發(fā)生的電費，是數(shù)據(jù)中心最大的運營成本項目。最終用戶同樣非常重視縮小整個系統(tǒng)的體積。

　　英飛凌全新推出的25V OptiMOS分立式器件采用三種封裝形式：SuperSO8、CanPAK和超小的S3O8封裝。S3O8封裝尺寸僅為3.3 毫米 x 3.3毫米。若采用S3O8封裝，一個六相轉(zhuǎn)換器的外形尺寸僅為1,120平方毫米，比另外兩種封裝分別縮小45%至 55%。全新推出的DrMOS器件——TDA21220——是一個多片封裝，集成了兩個全新的OptiMOS晶體管和一個驅(qū)動IC。它的能效比市場上同類解決方案高2%至4%。

　　相對于采用低導(dǎo)通電阻溝槽技術(shù)和超低柵極電荷橫向MOSFET概念的器件，OptiMOS25V器件在能效優(yōu)值方面表現(xiàn)更為出色。在導(dǎo)通電阻相同的情況下，全新的OptiMOS 25V器件的柵極電荷，比采用最接近的溝槽工藝制造的器件低35%，而其輸出電荷比最佳的橫向MOSFET器件低一半。