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          三星電子：半導體廠房跳電損失估計不到90億韓圜
          
						
          
				作者：
				時間：2010-03-29
				來源：LED環(huán)球在線
				
				
				
				
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          　　三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/107413.htm

          　　Yonhap News于南韓時間24日下午7時48分報導，三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當?shù)貢r間下午2時30分左右斷電，并在3時35分、5時38分恢復電力。三星表示，上述廠房的核心生產(chǎn)運作并未中斷，主因廠房設(shè)有不斷電系統(tǒng)(UPS)。此外，該公司正在調(diào)查斷電原因以及對生產(chǎn)的損害程度。
          

          　　受到三星電子半導體廠房跳電的影響，DRAM、NAND型閃存現(xiàn)貨報價走勢強勁。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)報價，截至臺北時間25日下午6時為止，DDR3 1Gb 128Mx8 1333MHz勁揚2.46%,報3.08美元;NAND 64Gb 8Gx8 MLC漲1.12%,報15.26美元
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            三星電子
                        DRAM
                        NAND
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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