三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓元

　　三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。

　　YonhapNews于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo)，三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當(dāng)?shù)貢r(shí)間下午2時(shí)30分左右斷電，并在3時(shí)35分、5時(shí)38分恢復(fù)電力。三星表示，上述廠房的核心生產(chǎn)運(yùn)作并未中斷，主因廠房設(shè)有不斷電系統(tǒng)(UPS)。此外，該公司正在調(diào)查斷電原因以及對(duì)生產(chǎn)的損害程度。

　　受到三星電子半導(dǎo)體廠房跳電的影響，DRAM、NAND型閃存現(xiàn)貨報(bào)價(jià)走勢(shì)強(qiáng)勁。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)報(bào)價(jià)，截至臺(tái)北時(shí)間25日下午6時(shí)為止，DDR31Gb128Mx81333MHz勁揚(yáng)2.46%,報(bào)3.08美元;NAND64Gb8Gx8MLC漲1.12%,報(bào)15.26美元。