張忠謀：臺(tái)積電將向14nm以下工藝挺進(jìn)

　　臺(tái)積電CEO兼董事長(zhǎng)張忠謀近日在加州圣何塞的一次技術(shù)會(huì)議上表示，臺(tái)積電將會(huì)和整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一起，向14nm以下的制造工藝進(jìn)軍。

　　張忠謀認(rèn)為，2011-2014年間的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展速度不會(huì)很快，原因有很多，其中之一就是受摩爾定律制約，技術(shù)發(fā)展的速度會(huì)趨于緩慢。

　　張忠謀表示，2xnm時(shí)代眼下很快就要到來(lái)，1xnm時(shí)代也會(huì)在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)內(nèi)成為現(xiàn)實(shí)，而臺(tái)積電或許無(wú)法在他的任期內(nèi)走向1xnm，但肯定會(huì)竭盡全力將半導(dǎo)體制造技術(shù)帶向新的水平。

　　臺(tái)積電2010年間的資本支出預(yù)算高達(dá)48億美元，全公司員工總數(shù)也會(huì)從2萬(wàn)人增至2.9萬(wàn)人，這都是為了應(yīng)對(duì)難度越來(lái)越高的半導(dǎo)體工藝而做成的努力。

　　張忠謀還指出，臺(tái)積電對(duì)全球芯片市場(chǎng)2010-2011年間的估計(jì)不會(huì)有很大變化：連續(xù)下滑兩年后今年有望增長(zhǎng)22%，不過(guò)明年只有7%。

　　臺(tái)積電目前還在完善40nm，下一站將是28nm，再往后是跳過(guò)22nm而走向20nm。