張忠謀談半導(dǎo)體業(yè) 需要加強合作

　　臺積電總裁張忠謀認為,雖然近期IC業(yè)的形勢越來越好, 但是產(chǎn)業(yè)還是面臨諸多挑戰(zhàn)。

　　在近期舉行的臺積電技術(shù)會上張忠謀表示,摩爾定律正在減緩和芯片制造成本越來越高，因此臺積電將比過去在芯片制造商與代工之間更加加強緊密合作。

　　它對于大家說,此種合作關(guān)系要從芯片設(shè)計開始, 并相信未來臺積電會做得更好。

　　它同時指出，加強合作要依技術(shù)為先。從技術(shù)層面, 那些老的，包括新的代工競爭者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,對于臺積電都能構(gòu)成大的威脅。

　　非常幸運, 大部分代工廠己經(jīng)從去年非常困難境況下重新看到了好的市場前景。張忠謀認為目前全球代工的市場很好, 從近期看相當(dāng)不錯, 再往下看也該可以。

　　按張忠謀看法, 2010年全球IC銷售額可達2760億美元,比09年增長22%,而到2011年IC市場也望有7%的增長。

　　再往前看, 雖然工業(yè)前景面臨大的挑戰(zhàn), 原因是電子產(chǎn)品中半導(dǎo)體含量的增長速度開始減緩及IC的平均售價ASP繼續(xù)下降。

　　它作出估計,未來半導(dǎo)體業(yè)的增長將減緩, 在2011-2014年期間全球IC業(yè)的年均增長率CAGR為4.2%。

　　從技術(shù)層面, 同樣有許多挑戰(zhàn), 摩爾定律減緩及研發(fā)費用急速增加。

　　張忠謀提出如下三大挑戰(zhàn)

　　1,尺寸繼續(xù)縮小越來越困難，工業(yè)界己經(jīng)把光學(xué)光刻方法用到了極限，未來很快將向非光學(xué)光刻方法過渡, 但是成本太高。

　　2,漏電流變成大問題及彑連的復(fù)雜性繼續(xù)成為問題。

　　3,建廠成本高聳,越來越少的芯片制造商具有能力建廠, 真是不好說未來還能有幾家愿意為14nm-10nm建廠。顯然,只要有人愿意跟綜,臺積電也決不落后，臺積電的目標(biāo)就是做領(lǐng)先者。

　　臺積電作為全球代工的領(lǐng)先者, 從技術(shù)路線上在28nm之后, 決定跳過22nm(full node), 直接進入20nm(half node) 時代。

　　在技術(shù)會議上臺積電會提出20nm CMOS工藝的細節(jié), 它將成為臺積電28nm之后的主要平臺技術(shù), 同時臺積電聲言它不會提供18nm工藝技術(shù)，而可能直接躍入14nm。