張忠謀公開臺積電20nm制程技術(shù)部分細節(jié)

　　臺積電公司宣布他們將于28nm制程之后跳過22nm全代制程，直接開發(fā)20nm半代制程技術(shù)。在臺積電公司日前舉辦的技術(shù)會展上，臺積電公司展示了部分 20nm半代制程的一些技術(shù)細節(jié)，20nm制程將是繼28nm制程之后臺積電的下一個主要制程平臺，另外，20nm之后，臺積電還會跳過18nm制程。

　　根據(jù)臺積電會上展示的信息顯示，他們的20nm制程將采用10層金屬互聯(lián)技術(shù)，并仍然采用平面型晶體管結(jié)構(gòu)，增強技術(shù)方面則會使用HKMG/應(yīng)變硅和較新的“low-r”技術(shù)(即由銅+low-k絕緣介質(zhì)組成的互連層)。另外，臺積電的20nm制程工藝將徹底放棄柵極氧化硅型絕緣層，全面轉(zhuǎn)向HKMG柵極結(jié)構(gòu)。

　　光刻工藝方面，臺積電20nm制程將繼續(xù)沿用193nm沉浸式光刻技術(shù)，不過會起用雙重掩膜技術(shù)(double-patterning)和SMO技術(shù)(source-mask optimization)以增強現(xiàn)有的193nm沉浸式光刻技術(shù)。

　　與臺積電之前推出的制程技術(shù)首先專注于低功耗的風格不同，臺積電的20nm制程技術(shù)將把高性能作為開發(fā)的重點。

　　臺積電這次透露20nm制程細節(jié)的舉動令他們相對其它代工業(yè)對手如GlobalFoundries，三星，聯(lián)電等似乎有“領(lǐng)先一步”的優(yōu)越感。此前三星和聯(lián)電公司在公開場合甚少或根本沒有提及其發(fā)展2xnm級別制程工藝技術(shù)的計劃。而 GlobalFoundries公司此前則表示要到2012年下半年才會開始啟用22nm級別的制程工藝，而臺積電啟動20nm制程的日期則也放在了12年下半年。相比之下，Intel公司則計劃于2011年第四季度轉(zhuǎn)向22nm制程技術(shù)。

　　過去，臺積電總是遵循ITRS的發(fā)展路線圖執(zhí)行自己的制程研發(fā)計劃，先開發(fā)出“全代”型制程工藝，然后再研發(fā)出更高級的“半代”型制程工藝，方便用戶進行制程升級。不過這次20nm制程的研發(fā)計劃似乎與過去他們的風格稍有不同。為了突出自己產(chǎn)品的差異化，他們會首先勸說客戶采用半代型制程，比如他們雖然開發(fā)出了32nm制程技術(shù)，不過卻在大力宣傳并勸說客戶使用自己的28nm制程技術(shù)。

　　過去，人們曾以為臺積電會推出22nm制程，不過據(jù)臺積電CEO張忠謀介紹：“用戶當然也可以選擇22nm制程，不過我們決定跳過這種制程。”他并認為20nm制程技術(shù)能提供比22nm制程更高的晶體管密度，管子性能以及成本。