X-FAB公布首款0.35微米100V高壓純晶圓代工廠技術

　　X-FAB Silicon Foundries，業(yè)界領先的模擬/混合信號晶圓廠及“超越摩爾定律”技術的專家，今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠工藝。它能用于電池管理,提供新類型的可靠及高性能電池監(jiān)控與保護系統(tǒng)。它也非常適合用于功率管理設備，以及用于使用壓電驅(qū)動器的超聲波成像和噴墨打印機的噴頭。此外，X-FAB加入了新興改良式N類與P類雙擴散金屬氧化物半導體(DMOS)晶體管，對于達到100V的多運作電壓，導通電阻可降低45%，晶片的占位能夠降低40%，從而降低了晶粒的成本。X-FAB將于7月27日至28日向全球提供一次免費的網(wǎng)絡講座,探討這些新功能，網(wǎng)絡講座的議題是“將業(yè)界首款0.35微米100V純晶圓代工廠工藝應用于高壓裝置” 。

　　X-FAB首席技術官Jens Kosch說：“隨著可再生能源越來越流行，混合動力與電動車、光電池與風力渦輪機等都需要安全高效的能源存儲管理方案。當客戶使用X-FAB最新的專業(yè)高壓工藝時,便能夠應對這些問題,以及用較低的成本應對其他一些潛力巨大的新興設備。例如我們發(fā)現(xiàn)鋰電池的功率管理解決方案很受關注，全球的主要汽車制造商都表現(xiàn)出濃厚興趣。通過X-FAB的最新HV工藝，他們就能實現(xiàn)更安全、更高性能的電池監(jiān)控與保護系統(tǒng)。”

　　各功能的平均成本更低

　　X-FAB最新改良型N類與P類DMOS晶體管門氧化物厚度為14納米或40納米，客戶根據(jù)其設備的要求有5V或12V驅(qū)動能力可選，操作電壓為55V、75V和100V。通過大幅降低導通電阻，將EEPROM功能集成到基線工藝，進行修整和程序存儲，并使用一個厚金屬層作為第三個金屬層，X-FAB已經(jīng)大大降低了各功能的平均成本。此外，新加入的獨立5V NMOS與PMOS設備能夠操作于0V至 100V之間的電壓。其他設備改良包括肖特基(Schottky)二極管、20V與100V高壓電容，以及雙極晶體管。

　　供應情況

　　以上的所有功能與設備目前已經(jīng)作為X-FAB的0.35微米高壓工藝產(chǎn)品(XH035)的一部分推出。