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          EUV要加大投資強(qiáng)度

          作者: 時(shí)間:2010-07-29 來源:Solid state Technology 收藏

            未來將越來越困難已是不爭(zhēng)的事實(shí)。巴克萊的C J Muse認(rèn)為如制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段,在4x,3x節(jié)點(diǎn)時(shí)發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有),是黃金時(shí)刻,然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)也有很多,如兩次圖形曝光(在,及l(fā)ogic中),高k金屬柵等。由此,在未來的2011-2012年,甚至更長(zhǎng)一段時(shí)期內(nèi)必須要加大投資強(qiáng)度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時(shí)間,它是在牛/熊市小組座談會(huì)上發(fā)表此看法) 。另一位會(huì)議發(fā)言者Credit Suisse的Satya Kumar補(bǔ)充認(rèn)為,目前正處于由技術(shù)投資向fab產(chǎn)能投資過渡,它指出,器件的尺寸縮小已達(dá)3xnm及以下。Muse也同意此觀點(diǎn)認(rèn)為產(chǎn)能擴(kuò)充僅僅開始。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/111269.htm

            盡管EUV技術(shù)已逐漸映入人們的眼球中,然而另外一些光刻動(dòng)向正引起業(yè)界關(guān)注。如KrF光刻機(jī),近期它的突然訂單加多,表示新的產(chǎn)能擴(kuò)充時(shí)代真的到來又一標(biāo)志。2010年TSMC有30臺(tái)訂單,Samsung有15臺(tái)及intel有10臺(tái)。它們的供應(yīng)商ASML,Nikon正努力設(shè)法完成供貨計(jì)劃,Muse在報(bào)告中稱全球在2010年需要60臺(tái)。另外,據(jù)應(yīng)用材料公司(AMAT) 的報(bào)告,全球從現(xiàn)在起有14個(gè)新建fab,將增加產(chǎn)能,>200K/WSPM;> 320K/WSPM;Logic/foundry >350K/WSPM。

            對(duì)于任何一家公司在先進(jìn)技術(shù)制造與開發(fā)方面都有極大的挑戰(zhàn),這一點(diǎn)是無疑的。所以GlobalFoundries的高級(jí)副總裁Gregg Bartlett在它的發(fā)言中,重申如IBM的公共平臺(tái)合作方式對(duì)于目前是十分必要的。即便Intel的Andy Bryant在它的講話中也發(fā)起在IDM,學(xué)校與供應(yīng)商之間加強(qiáng)合作的呼聲。

            合作不僅是器件制造商之間的事,Global Foundries的Tom Sonderman建議合作模式中還必須包括設(shè)備制造商,如自動(dòng)化、plug-in集成、及標(biāo)準(zhǔn)化的方法等。

            EUV光刻到了哪里?

            正如Credit Suisse的Kumar所言,對(duì)于每一位帶SEMICON標(biāo)牌的人,已不懷疑EUV會(huì)到來。但是也有擔(dān)心,如掩模檢查(尤其是圖形尺寸在波長(zhǎng)端的檢查) 及光源功率,ASML可能己給Gigaphoton下了訂單。另外,巴克萊的Muse認(rèn)為在2010年下半年它的EUV3300設(shè)備的訂單己多達(dá)10臺(tái)以上。

            有關(guān)EUV的消息不是來自供應(yīng)商,而是來自客戶。在7月14日的會(huì)上Global foundries的Bartlett 透露它的公司將放棄EUV設(shè)備的試產(chǎn)過程,而盡快在它的紐約州Malta 正在建設(shè)的Fab 8中進(jìn)入量產(chǎn)實(shí)驗(yàn),估計(jì)為2012的下半年,而真正達(dá)到很大量產(chǎn)可能在2015年。關(guān)于如浸入式及兩次圖形曝光技術(shù)可能用在2x節(jié)點(diǎn)應(yīng)用。它并說EUV可能被用在下一代,16nm中。己經(jīng)有60種以上在Dresden掩模車間生產(chǎn)的EUV掩模準(zhǔn)備待用。

            當(dāng)Ken Rygler在詢問華爾街分析師時(shí),不管EUV未來可能在1xnm時(shí)準(zhǔn)備好,或者根本就上不去,在牛市還是熊市的座談會(huì)上EUV開始逐漸熱了起來。巴克萊的CJ Muse表示,EUV的推遲可能是件好事,因?yàn)槿鐧z測(cè)及光源功率等尚未到位,以及也可能有利于付蝕及工藝控制等進(jìn)一步提高。然而Rygler對(duì)此搖頭,它表示目前還沒有一家說中間掩模(reticle)的檢查設(shè)備已準(zhǔn)備好,這是人所共知的,CJ Muse之后也告訴了SST。但是它認(rèn)為EUV設(shè)備早晚會(huì)成功,尤其在DRAM制造中對(duì)于某些關(guān)鍵層的光刻應(yīng)用是有非常迫切的需求。



          關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體制造 DRAM NAND

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