中芯國(guó)際65納米晶圓出貨超萬(wàn)片 成功進(jìn)入量產(chǎn)階段

　　中芯國(guó)際集成電路制造有限公司日前宣布，其自2009年第三季開(kāi)始在中芯國(guó)際北京12寸廠生產(chǎn)的65納米技術(shù)晶圓出貨累計(jì)已超過(guò)10,000片，目前已成功進(jìn)入量產(chǎn)。

　　中芯目前擁有超過(guò)10個(gè) FOT (Foundry Owned-Tooling) 和 COT(Customer Owned-Tooling) 客戶在各個(gè)開(kāi)發(fā)以及生產(chǎn)階段。中芯國(guó)際的65納米邏輯技術(shù)顯著改善產(chǎn)品集成度，并具有高性能，低功耗以及尺寸更小的高水平。目前涉及的產(chǎn)品應(yīng)用包括 Wi - Fi，藍(lán)牙，高清電視，影音解碼器，應(yīng)用處理器以及 TD-SCDMA 芯片。65納米工藝由中芯國(guó)際設(shè)計(jì)服務(wù)部門(mén)秉持嚴(yán)格的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)為客戶提供具有符合 DFM 標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品和服務(wù)。除了中芯國(guó)際自主設(shè)計(jì)的 IP，中芯完整的解決方案也包含了第三方 IP。綜合 IP 解決方案為客戶提供靈活的優(yōu)勢(shì)，以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程，縮短設(shè)計(jì)時(shí)間，讓客戶產(chǎn)品能夠更快打地入市場(chǎng)。

　　從65納米過(guò)渡到55納米技術(shù)也正在開(kāi)發(fā)中，中芯55納米技術(shù)按照65納米制程(包含輸入輸出和模擬電路)作90%的線性比例縮小。“中芯國(guó)際的 65納米設(shè)計(jì)可以為目前65納米客戶提供未來(lái)提升到55納米的方便以及益處，中芯國(guó)際的65/55-nm 項(xiàng)目小組的進(jìn)展如火如荼，”中芯國(guó)際資深副總裁兼首席商務(wù)官季克非表示。“我們的65納米技術(shù)為我們的先端客戶提供前所未有的機(jī)遇，能幫助先端客戶進(jìn)一步鞏固在各自行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。中芯65納米使芯片尺寸大幅減小，耗能度改善，速度提升以及低漏電的特性，能為中芯國(guó)際客戶提供具有高度差異化的產(chǎn)品以進(jìn)一步打入市場(chǎng)。”

　　因應(yīng)日益劇增的客戶需求中芯國(guó)際的65納米產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃持續(xù)進(jìn)行中。目前中芯為客戶提供每?jī)蓚€(gè)月一次的65納米多項(xiàng)目晶圓服務(wù)。

　　中芯國(guó)際65納米匯萃

　　* 全面的 IP 解決方案(包括 RF, PDK and DFM)，能更節(jié)省客戶設(shè)計(jì)成本以及方便客戶根據(jù)產(chǎn)品定制調(diào)試 IP 方案。

　　* I/O 選擇包含：1.8V/2.5V/3.3V & Triple Gate Oxide (1個(gè)核心以及2個(gè) I/O) 。關(guān)于2.5V 的 I/O 可以有額外驅(qū)使到3.3V 或者降低到1.8V 的選擇以滿足客戶廣泛產(chǎn)品不同的需求。

　　* 65LL and 65G 基本制程一致，不過(guò)65G 具備額外增強(qiáng)性能的 NMOS 模塊。

　　* 中芯55納米低成本的技術(shù)正在開(kāi)發(fā)中，年底將有突破性進(jìn)展。

　　* 金屬選項(xiàng)：多達(dá)10個(gè)銅金屬層。

　　* 中芯目前有10個(gè)以上的 FOT 以及 COT 客戶進(jìn)入各個(gè)開(kāi)發(fā)以及生產(chǎn)階段。

　　* 為客戶提供每?jī)蓚€(gè)月一次的65納米多項(xiàng)目晶圓服務(wù)。

　　* 芯片尺寸大幅減小，耗能度改善，速度提升以及低漏電等特性。