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	 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2010-08-23
				來源：CNBEta
				
				
				
				
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          　　Intel與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于25nm制程技術(shù)的3位元型NAND閃存芯片產(chǎn)品，目前他們已經(jīng)將有關(guān)的產(chǎn)品樣品送往部分客戶手中進(jìn)行評估，預(yù)計(jì)這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產(chǎn)。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb，為三位元型閃存。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/111941.htm

          

          　　這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設(shè)計(jì)，一個(gè)存儲單元可存儲3位數(shù)據(jù)，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。
          

          　　這款產(chǎn)品的面積要比現(xiàn)有Intel與鎂光公司推出的25nm制程MLC芯片小20%強(qiáng)，而后者則是現(xiàn)有市面上銷售的8GB容量閃存芯片中面積最小的產(chǎn)品。這次推出的25nm制程TLC 64Gb(8GB)NAND閃存芯片的核心面積僅131平方毫米,芯片采用業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的TSOP型封裝設(shè)計(jì)。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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