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          Applied Materials宣布開發(fā)出深寬比高達30：1的化學氣相淀積技術
          
						
          
				作者：
				時間：2010-08-26
				來源：digitimes
				
				
				
				
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          　　Applied Materials公司近日宣布開發(fā)出了一種新的化學氣相淀積(CVD)技術，這種技術能為20nm及更高等級制程的存儲/邏輯電路用晶體管淀積高質量的 隔離層結構。據(jù)Applied Materials公司宣稱，這些隔離結構的深寬比可超過30：1，比目前工藝對隔離結構的要求高出5倍左右。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/112071.htm

          　　這項技術使用了Applied Materials公司名為Eterna流動式化學氣相沉積系統(tǒng)(Flowable CVD:FCVD)的技術專利，淀積層材料可以在液體形態(tài)下自由流動到需要填充的各種形狀的結構中，填充形式為自底向上，而且填充結構中不會產生空隙。
          

          

          　　Applied Materials公司還宣稱目前采用了Eterna FCVD技術的化學氣相淀積設備已經在六家客戶公司內開始裝機，這些客戶包括內存，閃存以及邏輯芯片廠商。
          

          　　化學氣相淀積(CVD)是通過氣體混合的化學反應在硅片表面淀積一層固體膜的工藝，可用來淀積各種氧化物，氮化物，多晶硅以及金屬導體膜。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關鍵詞：
            			            應用材料
                        CVD
                        20nm
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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