晶圓代工業(yè)績(jī)一飛沖天 今年市場(chǎng)規(guī)模上看276億美元

　　景氣復(fù)蘇，加上半導(dǎo)體大廠采輕晶圓廠策略，使得2010年晶圓代工業(yè)績(jī)一飛沖天，業(yè)界估計(jì)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)可創(chuàng)下近10年新高紀(jì)錄，上探276億美元，較2009年成長(zhǎng)35%以上，更可望推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)20%以上，據(jù)估計(jì)整體半導(dǎo)體產(chǎn)值將可達(dá)到2,745億美元。

　　半導(dǎo)體產(chǎn)品高階制程研發(fā)耗時(shí)耗資，半導(dǎo)體大廠多采輕晶圓策略，延續(xù)舊有廠房設(shè)備，避免巨額資本投資，自行生產(chǎn)模擬產(chǎn)品，將高階數(shù)字CMOS制程外發(fā)予晶圓代工廠生產(chǎn)，美國(guó)德州儀器(Texas Instruments)、日本瑞薩電子(Renesas Electronics)等大廠紛紛將尖端產(chǎn)品委由臺(tái)積電、聯(lián)電等大廠代工。

　　大陸研究機(jī)構(gòu)水清木華(Research In China)表示，長(zhǎng)期而論，晶圓代工市場(chǎng)擴(kuò)張幅度將高于整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

　　景氣度過寒冬，加上眾半導(dǎo)體廠采輕晶圓策略，高階尖端制程委外，雙雙推動(dòng)晶圓代工業(yè)績(jī)蓬勃發(fā)展，2010年晶圓代工產(chǎn)值可望成長(zhǎng)35%以上，市場(chǎng)規(guī)模將上探276億美元。

　　2010年如臺(tái)積電、聯(lián)電等晶圓代工大舉提高資本支出，提升技術(shù)、產(chǎn)能，此外市場(chǎng)新秀Global Foundries崛起，打破臺(tái)積電、聯(lián)電、特許、中芯國(guó)際(SMIC)四強(qiáng)爭(zhēng)霸局面。

　　Global Foundries購(gòu)并全球第3大晶圓代工廠特許半導(dǎo)體(Chartered)，將中芯國(guó)際遠(yuǎn)甩于后，當(dāng)前與臺(tái)積電、聯(lián)電三足鼎立晶圓代工市場(chǎng)，然特許經(jīng)營(yíng)不佳，Global Foundries扭轉(zhuǎn)局面費(fèi)時(shí)，加上當(dāng)前技術(shù)尚無法法媲美臺(tái)積電、聯(lián)電，新廠自2009年方動(dòng)土，2012年方能投產(chǎn)，產(chǎn)能亦落后市場(chǎng)前輩，然2010年該公司加碼投資，資本支出計(jì)達(dá)25億美元，積極挑戰(zhàn)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，讓臺(tái)積電、聯(lián)電已感壓力。