力晶9月?tīng)I(yíng)收衰退至75.19億

　　DRAM大廠力晶自結(jié)9月?tīng)I(yíng)收新臺(tái)幣75.19億元，較上月88.88億元減少15%，累計(jì)前9月?tīng)I(yíng)收為675億元;力晶發(fā)言人譚仲民表示，9月?tīng)I(yíng)收下滑主要是受到DRAM現(xiàn)貨價(jià)疲軟的影響，隨著12寸晶圓廠代工業(yè)務(wù)的需求和報(bào)價(jià)回穩(wěn)，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM制程技術(shù)也逐漸轉(zhuǎn)進(jìn)爾必達(dá)63納米制程，未來(lái)成本可望進(jìn)一步下降。

　　受到DRAM現(xiàn)貨價(jià)和合約價(jià)大幅下修的影響，DRAM廠9月?tīng)I(yíng)收除了華亞科受惠50納米制程大量轉(zhuǎn)換成功之賜，而逆勢(shì)成長(zhǎng)之外，其它各廠營(yíng)收都呈現(xiàn)下滑趨勢(shì)，包括力晶、瑞晶、南亞科、茂德等9月?tīng)I(yíng)收都難逃衰退命運(yùn)。

　　力晶9月?tīng)I(yíng)收下滑15%，主要是反應(yīng)9月現(xiàn)貨價(jià)格下跌，大陸十一長(zhǎng)假之前的預(yù)期補(bǔ)貨需求落空，個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)終端需求也不如預(yù)期順利，消費(fèi)性換機(jī)潮和企業(yè)換機(jī)潮都沒(méi)有明顯發(fā)酵，使得DRAM價(jià)格一路下跌，加上新臺(tái)幣升值問(wèn)題，都沖擊DRAM廠9月?tīng)I(yíng)收表現(xiàn)。

　　力晶目前的因應(yīng)之策，是盡早轉(zhuǎn)進(jìn)63納米制程技術(shù)，預(yù)計(jì)成本可再較65納米制程下滑20%，目前已積極添購(gòu)浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)，加速制程轉(zhuǎn)換的時(shí)間，以進(jìn)一步降低成本且提升營(yíng)運(yùn)競(jìng)爭(zhēng)力。

　　力晶上半年稅前獲利為425億元，每股盈余1.88元，公司自結(jié)9月?tīng)I(yíng)收為75.19億元，較上月88.88億元減少15%，終結(jié)自從2010年2月以來(lái)，營(yíng)收一直呈現(xiàn)上漲的走勢(shì)，累計(jì)前9月?tīng)I(yíng)收為675億元，第3季雖然DRAM價(jià)格下跌，看市場(chǎng)對(duì)于力晶第3季獲利仍是寄予厚望，預(yù)計(jì)力晶和瑞晶第3季財(cái)報(bào)會(huì)是臺(tái)系DRAM廠中，少數(shù)獲利的業(yè)者。

　　力晶對(duì)于2010年的資本支出規(guī)劃約新臺(tái)幣120億元，其中70%支出都用于轉(zhuǎn)換至63納米制程的費(fèi)用，剩下30%支出是為未來(lái)轉(zhuǎn)換至45納米制程做準(zhǔn)備，2011年力晶45納米制程量產(chǎn)后，可趕上2Gb產(chǎn)品榮登主流的熱潮。

　　除了標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品之外，力晶代工產(chǎn)能還包括利基型存儲(chǔ)器(SDRM)、NAND Flash產(chǎn)品等，其中NAND Flash芯片技術(shù)是技轉(zhuǎn)自日系大廠瑞薩(Renesas)AG-AND Flash架構(gòu)，之前瑞薩決定在90納米制程之后放棄NAND Flash產(chǎn)品，之后由力晶接手，下半年力晶將朝高容量發(fā)展，包括利用40納米制程生產(chǎn)16Gb產(chǎn)品。