次世代微影技術主流之爭　

　　目前次世代微影技術發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn)，而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術最快于2014年可望進入量產(chǎn)，而應用存儲器制程又將早于邏輯制程，他也指出，無光罩多重電子束恐怕來不及進入量產(chǎn)。

　　目前次世代微影技術主要包括深紫外光、無光罩多重電子及浸潤式微影多重曝光技術，然由于各種技術成本相對上都還高，發(fā)展也尚未成熟，因此次世代微影技術尚未有明顯的主流。

　　IMEC 在納米電子上向來具有先端研究技術，同時也與設備大廠愛司摩爾(ASML)進行多年的EUV技術研發(fā)，也為EUV陣營的主要代表之一。不過目前EUV技術最為人所詬病的在于EUV機臺、光罩與外圍材料設備都造價高昂，恐怕沒有幾家晶圓廠能夠負擔，即便制程順利開發(fā)成功，也少有客戶有能力采用。

　　因此目前臺積電也極力投入無光罩多重電子束制程開發(fā)，由于該制程不需要光罩，且設備造價也不若EUV機臺來的高昂，也提供了EUV之外的另一個選擇。更重要的是，讓過去幾年聲勢浩大的EUV，能夠有抗衡的對象。

　　Luc Van den hove指出，IMEC向來專注投入EUV技術研發(fā)，即便EUV技術在光罩及光阻等多面向上，仍有待改進，不過成熟度高，發(fā)展時間也較久，未來幾年成本也將會下滑，適合于大量生產(chǎn)。他預估，2014年EUV技術將具有成本效益，開始進入量產(chǎn)，首先會采用EUV制程的應是存儲器廠商，用于20納米制程，至于邏輯制程則會較晚，預計將用于16納米制程。

　　Luc Van den hove也表示，半導體業(yè)界的確需要EUV外有別的選擇方案，不過電子束過去一段時間投入的研發(fā)資源不夠，開發(fā)尚未成熟，尤其不適合用于存儲器制程，只適合用于小量生產(chǎn)，恐怕也趕不上業(yè)界量產(chǎn)的時程。

　　在 EUV陣營方面，ASML日前宣布，首臺EUV機臺已于本月正式出貨，預計到2011年中為止，還有5臺將陸續(xù)出貨。同時，ASML也正在著手研發(fā)第3代 EUV機臺NEX:3300，目前已有8套訂單，將于2012年開始出貨。因此業(yè)界對于未來1年EUV機臺進廠后的成果也十分關注，將是次世代微影技術發(fā)展的重要里程碑。