英特爾三星東芝聯(lián)手提升芯片制造工藝

　　據(jù)國外媒體報道，英特爾、東芝和三星電子將聯(lián)手開發(fā)新技術(shù)，在2016年前將芯片制造工藝提升到10納米級別。

　　據(jù)《日經(jīng)新聞》報道，全球排名前兩位的NAND閃存制造商三星電子和東芝將與最大的芯片廠商英特爾結(jié)成合作伙伴，并邀請大約10家半導(dǎo)體材料及其他領(lǐng)域的企業(yè)加入這一聯(lián)合體。

　　據(jù)稱，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省有可能提供大約50億日元(約合6121萬美元)作為研發(fā)啟動資金。參與此項目的各家企業(yè)將再提供50億日元。

　　東芝和三星電子計劃利用新技術(shù)制造10納米級別的NAND閃存及其他芯片，英特爾則希望用它開發(fā)更快的微處理器。