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          英特爾三星東芝聯(lián)手提升芯片制造工藝
          
						
          —— 在2016年前將芯片制造工藝提升到10納米級(jí)別
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2010-10-31
				來源：新浪科技
				
				
				
				
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          　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾、東芝和三星電子將聯(lián)手開發(fā)新技術(shù)，在2016年前將芯片制造工藝提升到10納米級(jí)別。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/114056.htm

          　　據(jù)《日經(jīng)新聞》報(bào)道，全球排名前兩位的NAND閃存制造商三星電子和東芝將與最大的芯片廠商英特爾結(jié)成合作伙伴，并邀請(qǐng)大約10家半導(dǎo)體材料及其他領(lǐng)域的企業(yè)加入這一聯(lián)合體。
          

          　　據(jù)稱，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省有可能提供大約50億日元(約合6121萬美元)作為研發(fā)啟動(dòng)資金。參與此項(xiàng)目的各家企業(yè)將再提供50億日元。
          

          　　東芝和三星電子計(jì)劃利用新技術(shù)制造10納米級(jí)別的NAND閃存及其他芯片，英特爾則希望用它開發(fā)更快的微處理器。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            英特爾
                        芯片
                        10納米
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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