美光新加坡廠明年投產(chǎn)

　　美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進(jìn)，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴(kuò)產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會(huì)缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開(kāi)始投產(chǎn)，對(duì)于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà)，美光表示不擔(dān)心供過(guò)于求，在產(chǎn)能增加的同時(shí)，平板計(jì)算機(jī)等應(yīng)用也大幅崛起，預(yù)計(jì)2011年NAND Flash市場(chǎng)供需可維持健康的狀態(tài)。

　　美光近來(lái)年陸續(xù)在34奈米和25奈米技術(shù)世代上，都接連領(lǐng)先三星和東芝，在全球NAND Flash技術(shù)地位上大幅提升，加上與英特爾合資建廠，也使得全球NAND Flash市占率增加，2010年第3季達(dá)10%。

　　展望2011年NAND Flash市場(chǎng)概況，三星和東芝都有擴(kuò)產(chǎn)的計(jì)畫(huà)，三星興建的Line-16新廠房預(yù)計(jì)將以NAND Flash產(chǎn)品為主，東芝與快閃記憶卡龍頭大廠新帝(SanDisk)合資興建的Fab 5，也預(yù)計(jì)在2011年投產(chǎn)。

　　面對(duì)三星和東芝對(duì)于擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash產(chǎn)能來(lái)勢(shì)洶洶，美光在新加坡的新廠也將于2011年加入投產(chǎn)，預(yù)計(jì)此廠房的產(chǎn)能規(guī)模約10萬(wàn)片，預(yù)計(jì)2011年底前先完成50%機(jī)器設(shè)備裝置。

　　面對(duì)2011年NAND Flash產(chǎn)能大幅增加，美光表示，其實(shí)在終端應(yīng)用上，也同步在往上，包括平板計(jì)算機(jī)、固態(tài)硬碟(SSD)、智能型手機(jī)等對(duì)于NAND Flash需求量都大增，預(yù)期2011年的NAND Flash市場(chǎng)供需將是健康穩(wěn)定成長(zhǎng)。

　　再者，美光除了制程技術(shù)持續(xù)領(lǐng)先外，美光在產(chǎn)品技術(shù)上，也一直緊抓市場(chǎng)脈動(dòng)包括eMMC解決方案之外，也領(lǐng)先推出ClearNAND產(chǎn)品，將ECC除錯(cuò)機(jī)制(Error Correcting Code)功能包裹在芯片之內(nèi)，預(yù)計(jì)未來(lái)可搶占平板計(jì)算機(jī)商機(jī)。

　　面對(duì)NAND Flash技術(shù)在25奈米以下離瓶頸期越來(lái)越近，美光也持續(xù)開(kāi)發(fā)下世代快閃存儲(chǔ)器技術(shù)，在購(gòu)并恒憶(Numonyx)之后，也獲得相變化存儲(chǔ)器(Phase-Change Memory;PCM)技術(shù)和專(zhuān)利，美光看好PCM可以取代NAND Flash和DRAM技術(shù)，這會(huì)是美光未來(lái)布局的重點(diǎn)之一。

　　再者，美光指出，新存儲(chǔ)器技術(shù)包括Cross Point Memory和3D技術(shù)等，也都是未來(lái)布局的一環(huán)。