安森美半導體汽車技術(shù)及車身和動力系統(tǒng)解決方案

　　隨著人們對汽車舒適性等方面要求的提高，車身電子控制和動力性的重要性日益突顯，越來越多的汽車開始裝備高性能的車身控制系統(tǒng)和先進的管理系統(tǒng)。這類系統(tǒng)的增加和升級為半導體器件的應用開辟了巨大的空間。

　　但是，面對環(huán)保和豐富消費者體驗的需求，以及汽車器件的最嚴格規(guī)范，制造商一方面要在產(chǎn)品的設(shè)計和制造等方面更加注重可靠性指標的認證，另一方面也要保證產(chǎn)品在提供更高性能的同時，符合環(huán)保節(jié)能方面的要求。本文將結(jié)合安森美半導體的汽車技術(shù)專長，談?wù)勂囓嚿砑?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/動力系統(tǒng)">動力系統(tǒng)解決方案所采用的各種器件。

　　先進的汽車工藝技術(shù)

　　汽車電子設(shè)備的增加使汽車的各個部分都無法避免寄生信號，甚至可能出現(xiàn)80 VV的峰值，汽車設(shè)計團隊必須考慮到這一點。用于汽車的模塊和組件需要能夠承受這種峰值并保證實現(xiàn)應有的功能。安森美半導體利用成熟的汽車技術(shù)能力，開發(fā)了一套專門的高電壓汽車電源技術(shù)，實現(xiàn)復雜的高電壓系統(tǒng)級芯片(SoC)解決方案，滿足最大電壓和數(shù)字門集成的要求。

　　同時，汽車中越來越多的電子含量對電磁兼容性的要求越來越高，汽車制造商也制定了相應的性能標準，旨在使車載網(wǎng)絡(luò)(IVN)應用擁有更高的抗ESD脈沖和抗EMI能力。安森美半導體利用創(chuàng)新的I3T50/I3T80技術(shù)提供最佳的一流器件，通過深溝槽隔離等工藝既實現(xiàn)了先進功能，又保證了可靠設(shè)計，降低了芯片上不同單元(cell)結(jié)構(gòu)之間的干擾。

　　安森美半導體的一系列技術(shù)允許使用高達100V的電源，有利于元件的集成——包括嵌入式微處理器內(nèi)核。安森美半導體的汽車ASIC和專用標準產(chǎn)品(ASSP)解決方案廣泛用于動力總成(包括環(huán)境溫度≥150℃的高溫應用)、安全、車身、儀表板、IVN、傳感器和驅(qū)動器應用。

　　安森美半導體是汽車MOSFET市場的主要供應商。除了平面MOSFET產(chǎn)品系列，該公司還提供40 V和60 V溝槽MOSFET。溝槽技術(shù)是為低Rds((on))開關(guān)應用優(yōu)化的，與平面技術(shù)相比，更適用于線性操作模式。

　　安森美半導體車身及便利應用解決方案

　　車身電子及便利應用包括氣候控制、智能接線盒、前照燈調(diào)節(jié)與電源控制、雨刷和光傳感、后視鏡控制、座椅位置/加熱/冷卻、車門模塊、方向盤傳感器等。

　　這里以車身暖通空調(diào)((HVAC)的控制、通信和電源，以及直流電機驅(qū)動器為例介紹。

　　1. 車身HVAC的控制、通信和電源

　　HVAC包括多個子系統(tǒng)：其一是汽車加熱及通風系統(tǒng)，從外部管道吸入清新空氣進入車廂;進入的空氣可以通過連接引擎冷卻系統(tǒng)的小型發(fā)熱芯來加熱。其用途是提高乘客的舒適和安全度。其二是空調(diào)制冷系統(tǒng)，將車內(nèi)熱量轉(zhuǎn)移到不斷循環(huán)的蒸發(fā)和冷凝的外部空氣中，降低空氣的溫度和濕度。其三是控制頭，即帶有用戶界面的ECU((電子控制單元)。

　　圖1是HVAC的框圖，圖中綠色的部分都會用到安森美半導體的各種器件。這些器件包括用于I/O保護的二極管和整流器;用于收發(fā)器或SBC的接口;用于電機預驅(qū)動器(BLDC、BDC)的IGBT/FET和MOSFET;用于步進電機驅(qū)動的負載/繼電器驅(qū)動器及接口;用于控制面板的雙極晶體管/數(shù)字晶體管(BRT)、接口、模擬開關(guān)、標準邏輯、多路轉(zhuǎn)換器;用于信號調(diào)理的放大器和比較器、運算放大器;用于高端驅(qū)動器的驅(qū)動器、負載/繼電器驅(qū)動器、IGBT/FET和MOSFET;用于電源保護的二極管和整流器、小信號開關(guān)二極管、齊納二極管、肖特基二極管;用于穩(wěn)壓(線性、開關(guān))的接口、直流-直流(DC-DC)控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器、控制器、線性穩(wěn)壓器;用于監(jiān)控的DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;以及用于低端驅(qū)動器的負載/繼電器驅(qū)動器、IGBT/FET和MOSFET。