創(chuàng)“芯”十年 成就未來
2. 產(chǎn)業(yè)生態(tài)深度演變 ,知識產(chǎn)權(quán)競爭加劇
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/115726.htm最近十年,全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的變動朝著兩個方向相反、卻又有內(nèi)在聯(lián)系的趨勢演變。一是隨著Fab成本上升,大廠紛紛將制造業(yè)務外包。隨著foundry代工業(yè)迅速崛起,一些傳統(tǒng)的IDM大廠,近年開始調(diào)整策略,實行輕晶圓戰(zhàn)略,把部分制造業(yè)務外包,出售或轉(zhuǎn)讓生產(chǎn)線,以把資源集中于產(chǎn)品設計和解決方案的提供、強化在產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈上的核心競爭力。最典型的是AMD和NXP,AMD完全轉(zhuǎn)變?yōu)镕abless,NXP出售和轉(zhuǎn)讓部分生產(chǎn)線,包括TI、英飛凌、飛思卡爾等也開始采取措施,向輕晶圓戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型邁出步伐。同時,我們也看到集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上下游的整合互動在加強。蘋果公司以2.78億美元的現(xiàn)金完成了對嵌入式微處理器供應商PA Semi公司的兼并;華為成立海思半導體,整機帶動芯片企業(yè)發(fā)展的模式在金融危機中的出色表現(xiàn)受到業(yè)界關(guān)注和熱烈討論。
在全球集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)深度演變的同時,知識產(chǎn)權(quán)競爭也日益加劇。集成電路產(chǎn)業(yè)的突出特點是快速的技術(shù)變化、累積創(chuàng)新和企業(yè)間知識產(chǎn)權(quán)存在交叉與重疊。國際巨頭公司憑借在技術(shù)上的先發(fā)優(yōu)勢,紛紛布局自己的知識產(chǎn)權(quán)版圖,這樣不僅保護了自己的核心技術(shù),也獲得了巨大的經(jīng)濟利益。
目前,我國集成電路企業(yè)的知識產(chǎn)權(quán)意識普遍加強,2009年國內(nèi)集成電路企業(yè)在國內(nèi)申請專利數(shù)量與2008年相比增長了4%以上,而相比之下,美國、日本及中國臺灣地區(qū)企業(yè)在中國申請的專利數(shù)量均為負增長。但同時也要看到,我國申請的專利質(zhì)量與美國、日本等產(chǎn)業(yè)強國仍有顯著差距。
3. 技術(shù)革新步伐加快,資金門檻不斷提高
2000年以來,全球集成電路設計和加工技術(shù)基本以兩年一個臺階的速度由0.25微米一路演進到22納米,單款芯片上集成的晶體管數(shù)目呈指數(shù)增長,2010年,在32納米芯片中已經(jīng)可以集成160億個晶體管。FPGA領(lǐng)域,在2010年出現(xiàn)了許多采用28nm級制造工藝的新技術(shù),包括 “部分重構(gòu)”、“28Gbit/秒收發(fā)器”、“堆疊硅片互聯(lián)”等。存儲器領(lǐng)域,NAND閃存的容量目前正以超過摩爾定律的速度不斷擴大。高性能數(shù)字領(lǐng)域,英特爾采用32nm工藝的微處理器,集成晶體管的數(shù)量達到31億個。美國IBM也于近期研發(fā)出了工作頻率提高至5.2GHz的45nm工藝處理器,集成晶體管數(shù)量為14億個。
隨著全球集成電路技術(shù)革新步伐加快,資金門檻也越來越高。例如,一條65nm生產(chǎn)線的投入需要25-30億美元,32nm生產(chǎn)線就要提升到50-70億美元,而22nm生產(chǎn)線的投入將超過100億美元。開發(fā)一款45nm芯片的總研發(fā)成本達到6000萬美元左右,32nm芯片的研發(fā)成本在7000萬美元左右,到28納米時會飆升到1億美元,而開發(fā)16納米芯片,則可能需要1.5億美元到2億美元的投入。
(二)我們的機遇
1. 全球市場繼續(xù)東移,產(chǎn)品領(lǐng)域變化顯著
過去十年全球集成電路市場重心逐漸由歐美向亞太轉(zhuǎn)移。2001年全球集成電路市場基本上還是北美、歐洲、日本、亞太四分天下,四大區(qū)域市場各占全球百分之二十幾的比重。十年光陰,全球集成電路市場發(fā)生了巨大變化,歐美地區(qū)均只有小幅增長,日本增長了15%,而除日本以外的亞太地區(qū)增幅高達190.2%。其中,中國集成電路市場已成為全球第一大集成電路消費市場。2009年中國集成電路市場規(guī)模已占全球的45%,成為全球集成電路巨頭鏖戰(zhàn)的主戰(zhàn)場。巨大的內(nèi)需市場為我國集成電路產(chǎn)業(yè)提供了廣闊的發(fā)展空間。
從全球集成電路應用結(jié)構(gòu)來看,2000年到2008年,集成電路消費市場在計算機領(lǐng)域下降了15%,而在消費電子、網(wǎng)絡通信、汽車電子等嵌入式領(lǐng)域增長了15%,全球集成電路的消費將慢慢從計算機消費為主進入嵌入式產(chǎn)品驅(qū)動的后PC時代。消費電子市場的蓬勃興起,使原來在計算機市場和通信市場習慣了高性能、高成本、產(chǎn)品壽命周期長的集成電路廠商必須適應消費類產(chǎn)品快速上市、價廉易用的要求,良好的用戶體驗成為制勝法寶,對市場的深刻理解和對用戶需求的敏銳把握成為決定競爭成敗的關(guān)鍵因素。我國集成電路企業(yè)具有貼近市場優(yōu)勢,對市場反應迅速,并且在成本上相比國外企業(yè)有較大優(yōu)勢。全球集成電路應用結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變,使我國集成電路企業(yè)有機會發(fā)揮自身優(yōu)勢,在消費電子產(chǎn)品、網(wǎng)絡通信、汽車電子等嵌入式領(lǐng)域迎頭趕上。
2. 國家政策持續(xù)利好,新興產(chǎn)業(yè)帶來機遇
2010年,《中共中央關(guān)于制定國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十二個五年規(guī)劃的建議》(簡稱“建議”)把加快培育發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),全面提高信息化水平,放在十分突出的位置?!督ㄗh》指出,要突破重點領(lǐng)域,積極有序發(fā)展新一代信息技術(shù)、節(jié)能環(huán)保、新能源、生物、高端裝備制造、新材料、新能源汽車等七大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。其中,新一代信息技術(shù)位居七大戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)之首。新一代信息技術(shù)依然是我國產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級的最核心技術(shù),要以加快推進經(jīng)濟社會信息化、促進信息化與工業(yè)化深度融合為目標,著力發(fā)展新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)。其中,集成電路產(chǎn)業(yè)是關(guān)系國民經(jīng)濟和社會發(fā)展全局的基礎性、先導性和戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè),是新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心和關(guān)鍵,對其他產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有巨大的支撐作用,七大戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)都直接地或間接地與集成電路相關(guān)?!督ㄗh》強調(diào)了集成電路的核心地位,為集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進一步指明了戰(zhàn)略方向。我國集成電路企業(yè)要努力抓住國家發(fā)展戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的機遇,在新興熱點市場領(lǐng)域加大投入、提高創(chuàng)新能力、掌握關(guān)鍵技術(shù)、構(gòu)建知識產(chǎn)權(quán)體系,以此為契機,把企業(yè)做大做強。
此外,我國2008年開始組織實施了“核高基”專項和“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”(“02專項”)等科技項目,預計“核高基”重大專項的投資就在百億元以上,這充分體現(xiàn)了國家對集成電路及軟件等基礎產(chǎn)業(yè)的重視程度。今年,國家發(fā)展改革委又啟動了“集成電路產(chǎn)業(yè)化”專項,這些國家項目的啟動和實施將極大的推動國產(chǎn)集成電路的產(chǎn)業(yè)化。我國集成電路產(chǎn)業(yè)將因此迎來重大發(fā)展契機。
3. 科技面臨巨變前夕,中國有望“彎道超車”
集成電路產(chǎn)業(yè)處于低谷時往往也是研發(fā)投入的最好時期,每當集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展到低谷的年份,總會有新的發(fā)明或技術(shù)革新出現(xiàn),這個新的發(fā)明或技術(shù)革新就會引領(lǐng)下一個集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高潮。2000年硅技術(shù)進入納米尺度,產(chǎn)業(yè)進入發(fā)展新時期,摩爾定律賴以生存的“等縮比”主導性日益下降。業(yè)界專家預言,目前硅產(chǎn)業(yè)正處于科技巨變的前夕,未來硅技術(shù)將沿著兩個方向發(fā)展。一是延續(xù)摩爾定律,納米級微細制造技術(shù)繼續(xù)向更小線寬發(fā)展。硅CMOS工藝的加工特征尺寸繼續(xù)等比例縮小。二是超越硅CMOS器件。新材料、新器件結(jié)構(gòu)、新原理器件有可能在成本可比、進而更優(yōu)越的情況下被采用。超越CMOS技術(shù)的新技術(shù)將使微電子技術(shù)持續(xù)向前發(fā)展。目前,半導體工藝已經(jīng)達到22nm,10nm可能是一個極限,必須采用全新的工藝和方法。未來有可能在非硅材料上突破,采用3D等封裝形式,也有可能產(chǎn)生量子計算等新興電子學。
在每次技術(shù)升級、產(chǎn)業(yè)格局變遷的過程中,常常伴隨著產(chǎn)業(yè)模式的創(chuàng)新和行業(yè)的洗牌重組,這些變化有時會由于整體經(jīng)濟的劇烈變化而被加速和放大,機遇和挑戰(zhàn)常常也蘊含其中。我國作為集成電路產(chǎn)業(yè)的后進國家,原來一直處于追趕者的地位。在與國際巨頭爭取存量市場的過程中,不僅要面對知識產(chǎn)權(quán)的重重壁壘,而且產(chǎn)品性能也難以超越。而新的科技巨變給了我們難得的發(fā)展機遇,如果我們能抓住幾個突破點,就有可能實現(xiàn)“彎道超車”。由被動變主動,形成自己的核心競爭力,搶占國際競爭的至高點。
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