臺(tái)積電買下力晶12寸晶圓廠

　　臺(tái)積電12日宣布，以29億元買下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房，做為20納米以下先進(jìn)制程的新基地。力晶29億元落袋，可提升現(xiàn)金部位，抵抗DRAM市況寒冬。

　　市場(chǎng)原估計(jì)交易金額逾30億元，實(shí)際以29億元成交。外界認(rèn)為，力晶此次「認(rèn)賠賣廠」，帳面損失約4.18億元，透露DRAM價(jià)格暴跌，顯示業(yè)者壓力甚大，急需現(xiàn)金挹注。

　　臺(tái)積電指出，這次交易金額將采分期方式付款，力晶預(yù)期，第一批帳款最快本季即可入帳。

　　DRAM價(jià)格去年第四季大跌逾五成，元月上旬1GbDDR3合約均價(jià)下探0.91美元的歷史低點(diǎn)，價(jià)格僅剩去年同期約三成。力晶表示，DRAM市況低迷，公司短期內(nèi)暫無(wú)新增產(chǎn)能需求，將竹科三五路興建中的建物出售。力晶近期并陸續(xù)處分非核心事業(yè)持股求現(xiàn)，第一波處分力積持股3,571張，獲利2.56 億元，昨天并申報(bào)轉(zhuǎn)讓晶相光持股1,189張。

　　臺(tái)積電表示，買下力晶竹科三五路建物與建地后，將是旗下Fab12第七期基地，以 20納米以下先進(jìn)制程為主要技術(shù)，裝機(jī)時(shí)間視客戶需求。加上去年8月向世界先進(jìn)購(gòu)入的Fab12第六期，三年前竹科管理局釋出的竹科三五路22公頃土地，全數(shù)由臺(tái)積電統(tǒng)包。設(shè)備商預(yù)估，以一期12寸廠月產(chǎn)能平均4萬(wàn)至5萬(wàn)片估計(jì)，臺(tái)積電取得世界先進(jìn)、力晶兩塊地后，位于竹科Fab12，總月產(chǎn)能最高上看 25萬(wàn)片，超過(guò)去年竹科與南科月產(chǎn)能總和，可紓解臺(tái)積電12寸產(chǎn)能吃緊。

　　力晶去年前三季手中現(xiàn)金與約當(dāng)現(xiàn)金約53億元，去年第四季DRAM價(jià)格大跌，現(xiàn)金流入瞬間大減。力晶原規(guī)劃發(fā)行全球存托憑證(GDR)籌資，但遭主管機(jī)關(guān)退件，力晶賣廠后可進(jìn)一步強(qiáng)化公司現(xiàn)金水位。