半導(dǎo)體廠商高層在“世界半導(dǎo)體峰會(huì)”發(fā)布戰(zhàn)略演講

　　“世界半導(dǎo)體峰會(huì)@東京2011～半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，成長宣言～”(2011年1月24日于日經(jīng)大廳召開，《日經(jīng)電子》主辦)隆重舉行，各大半導(dǎo)體廠商高層分別就各自的發(fā)展戰(zhàn)略等發(fā)表了演講。

　　瑞薩電子代表董事社長赤尾泰以“面向智能社會(huì)的新生瑞薩電子的成長戰(zhàn)略”為題發(fā)表演講，介紹了該公司的戰(zhàn)略等。該公司將以全球份額第一的MCU為優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大與模擬和功率半導(dǎo)體等元件相結(jié)合的解決方案業(yè)務(wù)，快速應(yīng)對(duì)社會(huì)的智能化和全球化。在應(yīng)對(duì)社會(huì)智能化的解決方案方面，該公司展示了車用和智能電網(wǎng)用解決方案等具體事例。在全球化方面，該公司將把海外與日本國內(nèi)的銷售比率從2010年度的50:50調(diào)整為2012年度的60:40，具體措施是通過向當(dāng)?shù)剞D(zhuǎn)移權(quán)限等方式強(qiáng)化在中國的MCU業(yè)務(wù)。并且把在中國開發(fā)的MCU推向世界。

　　美國GLOBALFOUNDARIES首席執(zhí)行官道格拉斯-格羅斯(Douglas Grose)以“基于創(chuàng)新提出技術(shù)與生產(chǎn)新模式”為題發(fā)表演講，對(duì)該公司的尖端技術(shù)等進(jìn)行了說明。其中談到了采用高電容率柵絕緣膜+金屬柵電極(HKMG)的28nm工藝、三維封裝技術(shù)等。尤其是在曝光技術(shù)方面，關(guān)于作為未來技術(shù)進(jìn)行開發(fā)的EUV曝光技術(shù)，該公司已經(jīng)通過設(shè)在德國德累斯頓的掩模店鋪開始供應(yīng)60以上的EUV掩模，到2012年下半年將在美國紐約的晶圓處理線導(dǎo)入量產(chǎn)等級(jí)的EUV曝光裝置，在2014～2015年在開發(fā)線實(shí)施量產(chǎn)。

　　爾必達(dá)內(nèi)存代表董事社長兼首席執(zhí)行官坂本幸雄以“日本國內(nèi)唯一的DRAM廠商，向全球第一發(fā)起的挑戰(zhàn)”為題發(fā)表演講，介紹了該公司的現(xiàn)狀。目前，DRAM價(jià)格暴跌使得該公司面臨著嚴(yán)峻的業(yè)務(wù)環(huán)境，但子公司臺(tái)灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)實(shí)現(xiàn)了高于同行業(yè)其他公司的成本競爭力，廣島工廠的成本競爭力強(qiáng)化也在推進(jìn)之中。瑞晶目前已經(jīng)全面完成了向40nm工藝DRAM 生產(chǎn)的轉(zhuǎn)移，其成品率達(dá)到了與上一代的65nm工藝相同的水平。而且，隨著廣島工廠逐漸降低成本，到2010年第三季度，該工廠的成本將只比瑞晶高5%，達(dá)到基本相同的水平。今后，該公司將致力于智能電話和平板終端用DRAM，逐步提升其收益性。為此，包括按照DRAM品種分別建設(shè)虛擬專用生產(chǎn)線在內(nèi)，該公司將著手開展生產(chǎn)、質(zhì)量、供貨等各項(xiàng)體制的重組。

　　臺(tái)積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC)全球業(yè)務(wù)暨營銷資深副總經(jīng)理陳俊圣(Jason C.S. Chen)以“通過推動(dòng)合作開拓新時(shí)代”為題發(fā)表演講，談及了有關(guān)28nm工藝的進(jìn)展情況等。陳俊圣介紹說，28nm工藝采用了HKMG和應(yīng)變硅，目前工廠建設(shè)正在順利進(jìn)行。流片已經(jīng)開始，截至2012年預(yù)定共有71個(gè)流片。此外，陳俊圣還談到了今后的量產(chǎn)工廠建設(shè)計(jì)劃，表示正在進(jìn)行Fab.12- phase7的建設(shè)準(zhǔn)備。