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	 > 電源與新能源 > 設計應用 > 利用低門限電壓延長電池壽命
          
    
          

          

          



	
	
	

          
	
          
		
          
			
          利用低門限電壓延長電池壽命
          
						
          —— Vlsing Low Gate-to-Source Voltage to Extending Bettery lifetime
          
						
          
				作者：Yalcin Bulut Vishay時間：2011-02-21來源：電子產品世界收藏
			
          

			
          


			
          
			
          


			
          
			
          


			
          
			
          
			
			
          
			
			
          


			
          
                
				        降低能量消耗、延長電池壽命，這是每個工程師在設計便攜式電子產品時努力的目標。電池技術的進步非常緩慢，所以便攜式產品的設計者把延長電池壽命的重點放在電源管理上。多年以來，從事電源管理業務的半導體制造商盡力跟上終端系統用戶的需求。越來越多的便攜式電子產品在功能上花樣翻新，這些產品需要峰值性能，要求設計者在設備的物理尺度內實現盡可能高的效率。雖然電池行業努力開發具有比傳統鎳鎘(NiCd)電池電量更高的替代電池技術，但還遠不能滿足新一代便攜設備對能量的需求。因此，便攜式應用不得不尋求在低功耗電路設計上的創新開發，使設計工程師可以讓終端系統以盡可能高的效率使用電池資源。在便攜式設備中，元器件是功耗預算的主要部分，而且很顯然，要跟上需求的變化，半導體器件制造商需要不斷創新，幫助降低便攜式產品的功耗。

          　　以手機為例，降低模擬和數字基帶芯片等手持設備中主要器件的工作電壓是降低功耗的辦法之一。在不需要DSP或微處理器發揮最大性能的時候，可以降低內核供電電壓，并且降低時鐘頻率。越來越多的新一代低功耗應用采用了此項技術，以盡可能地節約系統能量。公式PC~(VC)2.F描述了一個DSP內核的功耗，這里，PC是內核的功耗，VC 是內核電壓，F是內核時鐘頻率。降低內部時鐘頻率可以減少功耗，降低內核供電電壓可以把功耗降得更多。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/117036.htm

          　　先進的硅片和封裝技術能起到什么作用
          

          　　有很多音箱新興高耗電便攜式設備性能的設計因素，本文將主要以在低電壓應用中最常見的功率開關功率MOSFET為例，說明最新的硅技術突破在增加電源需求上的影響。為說明這些技術進步的影響，有必要了解功率MOSFET的一些關鍵參數。
          

          　　通道的導通電阻(rDS(on))是由通道的橫向和縱向電場控制的。通道電阻主要由柵源電壓差決定的。當VGS超過門限電壓(VGS(th))，FET開始導通。許多操作要求開關接地點。功率MOSFET通道的電阻與由公式R= L/A確定的物理尺寸有關，這里ρ是電阻率，L是溝道長度，A是W x T，即溝道的橫截面積。
          
				
            	
                
				
								
          
				          
                
				              	
          
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          關鍵詞：
            			            Vishay
                        MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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