NAND閃存市場(chǎng)或?qū)ⅰ氨辣P(pán)”

　　在2011年的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上，海力士、三星和東芝公布了各自關(guān)于尖端NAND部件的更多細(xì)節(jié)。

　　在一段時(shí)間內(nèi)，由于手機(jī)、平板電腦和固態(tài)存儲(chǔ)等產(chǎn)品市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，NAND閃存廠商一直有著驚人的增長(zhǎng)速度。

　　但是不要看現(xiàn)在，NAND閃存的“派對(duì)”可能將要結(jié)束了。海力士、美光、三星和東芝已經(jīng)或者即將建造新的NAND晶圓工廠，此舉可能會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)能力過(guò)剩和價(jià)格下跌。

　　Objective-Analysis分析師Jim Handy表示：“我們一直估計(jì)下半年(NAND市場(chǎng))將要崩盤(pán)。”

　　NAND市場(chǎng)需求預(yù)計(jì)仍將保持較強(qiáng)水平。Handy在ISSCC大會(huì)上表示，NAND平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)在過(guò)去一年中一直保持平穩(wěn)，但是平均銷(xiāo)售價(jià)格預(yù)計(jì)將在2011年第四季度“瓦解”。

　　目前，NAND閃存的每GB售價(jià)為1.6美元。到2012年中，這一價(jià)格預(yù)計(jì)將下降至0.65美元，降幅達(dá)40%。

　　問(wèn)題時(shí)，即將有太多的工廠產(chǎn)能上線。美光公司正在新加坡興建新的NAND晶圓工廠。東芝公司日前啟動(dòng)了名為Fab 5的晶圓廠。此外有報(bào)道稱(chēng)三星也將啟用新的名為L(zhǎng)ine 16的晶圓廠。

　　與此同時(shí)，在ISSCC大會(huì)上，東芝和SanDisk提交了一份關(guān)于151平方毫米、64Gb、基于MLC和24nm技術(shù)的設(shè)備材料。

　　海力士則談到了他們基于該24nm的32Gb MLC產(chǎn)品線。市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者三星公司則談到了64Gb、基于27nm的3bpc產(chǎn)品線。