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          FDSOI韜光養(yǎng)晦以待時變

          —— 通過ARM發(fā)展燎原之勢
          作者: 時間:2011-03-04 來源:SEMI 收藏

            半導體產(chǎn)業(yè)遵循摩爾定律發(fā)展已有數(shù)十年,生命力之強大令人敬畏,這種生命力的背后是馬不停蹄的技術創(chuàng)新,每一個革新技術都為產(chǎn)業(yè)注入前行的動力。SOI(Silicon on Insulator,絕緣體上的硅)技術就是其中之一。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/117446.htm

            SOI韜光養(yǎng)晦二十余年

            SOI技術在上世紀80年代開始發(fā)展,其顯著的性能優(yōu)勢得到業(yè)界公認,如抗輻射、低功耗、高速、工藝簡單等,被認為是“二十一世紀的硅集成電路技術”。盡管如此,但SOI晶圓制造成本高于普通硅晶圓,因此并未得到推廣。然而SOI技術的發(fā)展并未就此停止,在諸如抗輻射電路、耐高溫電路等成本相對不敏感的應用中,SOI技術成為首選。憑借這些特種應用的支持,業(yè)界對于SOI技術的知識積累和性能改善從未停止過,這為SOI后期的發(fā)展打下了基礎。

            這種努力并未白費。1998年,IBM宣布成功利用SOI技術制成高性能處理器,這一成果標志著SOI正式邁入高性能商用芯片市場。此后的十幾年SOI領域出現(xiàn)了越來越多領先芯片廠商的身影,除了IBM,AMD、Freescale、GlobalFoundries等芯片大廠先后推出一系列基于SOI的高性能產(chǎn)品和先進節(jié)點的代工服務。業(yè)界曾寄希望于通過這些大廠的努力,使SOI 技術成為主流,但這一天并沒有到來。一方面晶圓成本仍是問題,另一方面?zhèn)鹘y(tǒng)體硅技術還沒有遇到不可逾越的障礙,技術革新的時機尚不成熟。因此,SOI技術的發(fā)展仍局限于規(guī)模較小的高性能芯片市場。就這樣,SOI又潛伏了十余年。

            潛龍勿用,是為了等待飛龍在天的時機。如今,這個機會已近在眼前。

            體硅強弩之末 FDSOI或躍在淵

            體硅技術走到22nm之后,特征尺寸已很難繼續(xù)微縮,急需革新技術來維持進一步發(fā)展。在候選技術之中,F(xiàn)DSOI(Fully Depleted SOI,全耗盡SOI)技術極具競爭力。對于FDSOI,硅薄膜自然地限定了源漏結(jié)深,同時也限定了源漏結(jié)耗盡區(qū),從而可改善DIBL(Drain Induced Barrier Lowering,漏致勢壘降低)等短溝道效應,改善器件的亞閾特性,降低電路的靜態(tài)功耗。此外,F(xiàn)DSOI無需溝道摻雜,可以避免RDF(Random Dopants Fluctuation,隨機摻雜漲落)等效應,從而保持穩(wěn)定的閾值電壓,同時還可以避免因摻雜而引起的遷移率退化。

            SOI晶圓制備技術的發(fā)展也為FDSOI投入應用提供了良好的支撐。為了使獲得理想的性能,F(xiàn)DSOI晶圓的頂層硅膜和隱埋氧化層(Buried Oxide,BOX)須非常薄。目前市場上已出現(xiàn)相應的產(chǎn)品,可滿足現(xiàn)階段的應用需求。

            SOI技術的發(fā)展環(huán)境也日益改善。自2007年SOI聯(lián)盟(SOI Consortium)成立以來,越來越多的公司和機構開始關注SOI技術,并加入到推廣SOI技術的隊伍中。目前SOI聯(lián)盟已有會員30個,包括科研機構、材料商、設備商、集成芯片制造商、芯片設計商、芯片代工商、EDA供應商等,貫穿整個產(chǎn)業(yè)鏈。在這些廠商的努力下,產(chǎn)業(yè)對SOI的認識變得更為全面、準確和深入。

            綜上所述,F(xiàn)DSOI走向大規(guī)模應用的時機已經(jīng)到來,如能成功地縱身一躍,將完成SOI技術發(fā)展史上最華麗的篇章。

            移動芯片市場的機會

            近期ARM、GlobalFoundries、IBM、STMicroelectronics、Soitec和CEA-Leti聯(lián)合發(fā)布了一份評估,稱FDSOI技術非常適用于20nm及以下的移動芯片。FDSOI的優(yōu)勢已在基于ARM架構的處理器上獲得了證明。

            隨著智能手機、平板電腦等電子產(chǎn)品的興起,移動芯片市場呈現(xiàn)出良好的增長勢頭。未來移動互聯(lián)網(wǎng)將日益普及,移動芯片市場的潛力無可限量。FDSOI憑借低功耗殺手锏,若能在移動芯片中打下一片天地,那么在新技術之爭中將獲得舉足輕重的優(yōu)勢。如今FDSOI得到領先大廠們的認證是非常利好的消息,尤其是ARM的助力。近幾年ARM的創(chuàng)新商業(yè)模式使其處理器架構廣泛傳播,已在移動市場上占得了先機,讓Intel頭痛不已。得到ARM的認同與采用,對FDSOI具有非凡的意義。如果FDSOI技術能通過ARM的渠道滲透市場,就猶如搭上了一艘順風快船,星火燎原之勢指日可待。



          關鍵詞: 晶體管 CMOS

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