英特爾稱其20納米閃存技術(shù)領(lǐng)先三星

　　英特爾與美光稱上周宣布了20納米Nand閃存制造技術(shù)，英特爾稱利用這一技術(shù)將有望制造出業(yè)界體積最小、密度最高的閃存裝置。

　　英特爾的非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案部門的總經(jīng)理Tom Rampone表示，“英特爾與美光的合作是制造業(yè)的楷模，因為我們將會在制程技術(shù)上持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界轉(zhuǎn)換至越來越微小的技術(shù)。”

　　20納米制程是以原來的25納米制程為基礎(chǔ)而加以改善，兩家公司去年八月所生產(chǎn)的8GB裝置即是使用25納米制程。英特爾表示，在此之前，兩家公司還共同開發(fā)了采用34納米制程的MLC儲存技術(shù)。英特爾與美光預(yù)期會在今年下半年開始大量生產(chǎn)采用此一新技術(shù)的8GB MLC裝置，屆時希望也能夠展出16GB的樣本裝置。

　　Nand閃存技術(shù)的主導(dǎo)廠商三星公司在2010年4月時發(fā)表了自己的20納米節(jié)點Nand閃存技術(shù)，但是根據(jù)該公司的生產(chǎn)方式定義的不同，它的制程可能會介于20至29納米之間。

　　英特爾認(rèn)為它的制程比三星的更加先進(jìn)。

　　“大部分的分析師表示三星的20納米制程實際上比較接近27納米。這意味著25納米的MLC是2010年最精細(xì)的Nand生產(chǎn)制程，并且制造出去年業(yè)界最小的64GB MLC Nand晶粒與64GB TBC Nand晶粒”，英特爾EMEA的技術(shù)發(fā)言人Markus Weingartner指出，“我們將會在2011年延續(xù)技術(shù)上的領(lǐng)先并打造出真正的20納米Nand制程，并再度生產(chǎn)出業(yè)界最小、只有118mm的64GB MLC Nand晶粒。”

　　三星目前并未對以上說法做出響應(yīng)。

　　今年一月時，IBM與三星宣布了一項研究合作，兩家公司將會協(xié)力開發(fā)20奈米以下的半導(dǎo)體材料與制程技術(shù)。四月時，Toshiba宣布已經(jīng)開發(fā)出使用24納米制程來生產(chǎn)的Nand閃存，并且具有內(nèi)嵌的控制來執(zhí)行錯誤修正碼功能。