英飛凌展出SiC JFET功率模塊

　　德國英飛凌科技在東京舉行的展會“智能電網(wǎng)展2011&新一代汽車產(chǎn)業(yè)展2011”(舉辦期間：2011年6月15日～17日)上，展出了各種功率模塊。比如，配備SiC JFET的產(chǎn)品和延長了功率循環(huán)壽命的產(chǎn)品等。

　　功率模塊將耐壓為1200V、導(dǎo)通電阻為100mΩ的SiC JFET配備于3枚芯片上。外形尺寸“約為2～3mm見方”(解說員)。每枚芯片的電流容量為10A。

　　由于SiC JFET常開工作，因此為實現(xiàn)常開化進(jìn)行了多段連接。將用于多段連接的30V耐壓p通道硅MOSFET配備于2枚芯片上。利用英飛凌名為“直接驅(qū)動”的方法，直接開關(guān)SiC JFET進(jìn)行驅(qū)動。與開關(guān)多段連接的MOSFET進(jìn)行控制的方法相比，可降低接通時的環(huán)狀噪聲。

　　英飛凌計劃在2011年內(nèi)分別上市利用SiC JFET的功率模塊產(chǎn)品和采用TO220等封裝的SiC JFET芯片。模塊尺寸約為63mm×34mm×16mm(含端子等在內(nèi))。

　　功率循環(huán)壽命延至10倍

　　在會場上，英飛凌還展示了功率循環(huán)壽命延至原產(chǎn)品10倍的功率模塊。采用了名為“.XT”的技術(shù)。通過改變功率半導(dǎo)體芯片的鍵合引線材料、以及改進(jìn)芯片與DCB基板之間的接合技術(shù)，延長了功率循環(huán)壽命。

　　此次，英飛凌將鍵合引線的材料由鋁改為銅。一般情況下，使用銅“除了材料費較高外，還存在容易氧化、很難做成錫球等技術(shù)方面的課題”(解說員)。該公司沒有公布詳情，不過稱現(xiàn)已解決該課題，提高了產(chǎn)品的可靠性。該公司表示，利用銅線的鍵合技術(shù)已用于其MOSFET等，此次就是以該技術(shù)為基礎(chǔ)的。

　　另外，英飛凌為接合功率半導(dǎo)體芯片和DCB基板采用了名為“擴(kuò)散焊接方式”的方法。由于與普通方法相比，焊錫層較薄并且熱阻較小等，能提高產(chǎn)品的可靠性。

　　英飛凌在會場上展示了利用上述.XT技術(shù)的耐壓1200V、電流900A的IGBT功率模塊。