IMS Research發(fā)布2010年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)報(bào)告

　　根據(jù)IMS Research的最新報(bào)告，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁反彈，年增長(zhǎng)率達(dá)到43%，銷(xiāo)售額大概為160億美元，模塊產(chǎn)品增長(zhǎng)率達(dá)到了65%，遠(yuǎn)高于分立功率器件。

　　該報(bào)告認(rèn)為，英飛凌在功率MOSFET及IGBT中市場(chǎng)份額最大，三菱及富士通在模塊產(chǎn)品中份額增加，而IR、ST及Vishay則主要在分立器件中份額增加。

　　IMS Research表示，增長(zhǎng)主要來(lái)源于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、汽車(chē)以及計(jì)算機(jī)及辦公設(shè)備的增長(zhǎng)。

　　中國(guó)市場(chǎng)上IGBT的銷(xiāo)量猛增，主要是由于變頻設(shè)備的熱銷(xiāo)，包括空調(diào)、洗衣機(jī)、電冰箱等家用電器。

　　前十大供應(yīng)商分別為：

　　1. Infineon

　　2. Mitsubishi

　　3. Toshiba

　　4. STMicroelectronics

　　5. Vishay

　　6. International Rectifier

　　7. Fairchild

　　8. Fuji Electric

　　9. Renesas

　　10. Semikron