富士電機擬擴增SiC功率半導體產線

　　富士電機計劃生產采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產線，此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產線，未來預計在2012年春季開始量產。

　　富士電機將在近期內決定生產規(guī)模，外界預估投資額將可達到數10億日圓，此產線利用二極管及碳化硅制作出功率半導體，并整合絕緣柵雙極晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor;IGBT)，以模塊方式提供給工業(yè)用機器。

　　在此之前，富士電機已然與日本產業(yè)技術綜合研究所合作于該研究所的茨城事業(yè)所生產碳化硅功率半導體的試作品，今后透過自家公廠產線，富士電機計劃正式進行量產。

　　富士電機于2011年會計年度(2010年4月~2011年3月)對功率半導體的投資額高達185億日圓(約2.4億美元)，約占該公司總投資額的一半。

　　碳化硅功率半導體為變頻器(Inverter)中一重要零組件，主要用于控制馬達轉速，近期以來因其省電效果而受到矚目。使用硅為原料的功率半導體因性能已然難以提升，故電力損失可減半的碳化硅功率半導體，可望于2015年成為市場主流。

　　根據野村證券金融經濟研究所的預估，功率半導體市場規(guī)模將在2013年，達到165億日圓，較2009年增加64%.盡管關于碳化硅功率半導體的市場預估仍然不多，但業(yè)界估計，碳化硅功率半導體市場將可在2019年達到8億美元規(guī)模，較2010年增加達30倍。

　　為因應未來市場需求，日本多家廠商已然陸續(xù)整頓生產體制，先有Rohm于2010年，后有三菱電機于2011年初量產碳化硅功率半導體。海外方面也有德國InfineonTechnologies、意法半導體(STMicroelectronics)等公司，投入碳化硅功率半導體市場。