下一代光刻技術延遲 NAND成長或趨緩

　　在日前的一場閃存高峰會中，SanDisk公司的技術長Yoram Cedar指出，下一代光刻技術的延遲，將導致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術的延遲，閃存的成長可能需要再評估。

　　現有的浸入式光刻工具將能能讓閃存業(yè)者前進到小于10nm左右的幾何尺寸，他表示。此外，供應商們也正在努力使用現有晶圓廠工具來建構3D堆疊NAND串，以進一步提升產能和供給量。

　　而在未來，包括SanDisk在內的芯片制造商都在開發(fā)新的3D架構，運用阻抗的變化來建構更高密度的芯片。但是，這種所謂的電阻式RAM (resistive RAM)將需要EUV工具，他表示。

　　Cedar拒絕透露任何有關EUV或當前3D芯片研究的具體時間表。不過，他表示，芯片制造商預計將推出采用浸入式工具開發(fā)的64和128Gb閃存元件。

　　“從可用性和成本角度來看，今天半導體產業(yè)中，許多人都非常關注EUV的發(fā)展，但這項技術將耗資數百萬美元。”Cedar表示。

　　據報導，今年一月起便有一些預生產的EUV工具開始出貨。而一些報告也指出，EUV工具成本可能高達1.2億美元。

　　但Cedar很樂觀：EUV終將成為大家都可負擔得起的方案。他還指出，業(yè)界一直恐懼摩爾定律即將終結，但迄今這仍然沒有根據。

　　“當處于90nm時，我們認為要前進到56nm非常困難，且這場工藝競賽很可能隨時結束，”他說。

　　但好消息是閃存的需求一直很強勁。2015年以前，閃存的預估復合成長率達25%，幾乎是硬盤存儲的一倍，更遠高于目前成長率僅1%的DRAM，他說。

　　截至2015年，大約三分之一的NAND位元量將應用在多達11部的智能手機中，Cedar表示。而平板電腦在2015年估計可達3.27億部，預估將消耗另外15%的NAND位元量。

　　“平板電腦代表了一個從零開始，快速成長到規(guī)模相當龐大的市場，”他說。“今天市場上有更多創(chuàng)新產品不斷問世，甚至在3~4年都無法預測到它們會如此蓬勃發(fā)展，未來這些產品也將維持其發(fā)展態(tài)勢，”他補充道。

　　他預計固態(tài)硬盤將消耗25%的NAND位元量，其中用戶設備為1.33億部，服務器約1,200萬部。其余的NAND方面約有26%會用在MP3播放器、USB驅動和數碼相機中，他表示。