大摩：臺(tái)積電最受惠

　　摩根士丹利證券昨(29)日預(yù)估，受到311強(qiáng)震與日?qǐng)A升值等因素影響，日本IDM未來(lái)將擴(kuò)大委外代工比重，2013年將為晶圓代工產(chǎn)業(yè)額外貢獻(xiàn)13億美元營(yíng)收規(guī)模，臺(tái)積電將是最大受惠者。

　　摩根士丹利證券半導(dǎo)體分析師呂家璈指出，日本IDM產(chǎn)業(yè)全球市占率約45%，但委外代工比重卻非常小，預(yù)估不到5%、遠(yuǎn)低于歐美IDM的15%至20%。隨著晶圓代工制程逐漸轉(zhuǎn)到40與28納米，日本IDM將面臨拉高委外代工比重的壓力，潛在商機(jī)可能在未來(lái)2年內(nèi)發(fā)生。

　　呂家璈分析，日本IDM廠(chǎng)愿意拉高委外代工比重的原因，包括一、專(zhuān)注IDM模式的結(jié)果，這幾年獲利狀況都不太好;二、日本邏輯廠(chǎng)商已無(wú)太多資源投資在先進(jìn)制程;三、311強(qiáng)震迫使IDM廠(chǎng)商分散營(yíng)運(yùn)風(fēng)險(xiǎn);四、日?qǐng)A升值拉高生產(chǎn)成本問(wèn)題委外可解決。

　　事實(shí)上，過(guò)去幾年全球IDM擴(kuò)大委外代工趨勢(shì)已經(jīng)很明顯，這也是晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)幅度優(yōu)于整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主因，但呂家璈認(rèn)為，隨著：一、歐美IDM已竭盡所能拉高委外代工比重;二、IDM廠(chǎng)商這幾年?duì)I收成長(zhǎng)力道平均低于IC設(shè)計(jì)廠(chǎng)商;三、歐美IDM將營(yíng)運(yùn)模式轉(zhuǎn)至不需要委外代工的產(chǎn)品，如德儀切入類(lèi)比IC;未來(lái)不必過(guò)度期待歐美IDM會(huì)進(jìn)一步拉高穩(wěn)外代工比重，使得來(lái)自日本IDM商機(jī)可高度期待。

　　根據(jù)呂家璈估算，2013年前來(lái)自日本IDM委外代工潛在的新商機(jī)，保守估計(jì)可達(dá)13億美元，由于日本IDM優(yōu)先委外代工的制程為40與28納米，臺(tái)積電與全球晶圓(GF)將成為先行考慮釋單對(duì)象。