臺(tái)積電后段封測(cè)業(yè)務(wù)起飛 與日月光等展開(kāi)正面競(jìng)爭(zhēng)

　　半導(dǎo)體進(jìn)入28納米制程世代后，對(duì)于高階封測(cè)制程需求明顯增加，設(shè)備業(yè)者表示，臺(tái)積電在后段自制比重提升，主要系來(lái)自于歐美無(wú)晶圓廠訂單挹注，歐美客戶(hù)除講求一元化解決方案的便利性，亦擔(dān)心良率問(wèn)題，遂傾向在臺(tái)積電廠內(nèi)完成前、后段制程，然此舉恐將影響封測(cè)廠高階封測(cè)需求，臺(tái)積電跨入后段制程已對(duì)一線封測(cè)廠產(chǎn)生負(fù)面效應(yīng)。

　　不過(guò)，封測(cè)廠亦不是省油的燈，憑借代工價(jià)格較晶圓廠更具競(jìng)爭(zhēng)力優(yōu)勢(shì)，全力吸引亞洲無(wú)晶圓廠客戶(hù)繼續(xù)投單，而過(guò)去晶圓廠和封測(cè)廠的上、下游合作關(guān)系，如今在高階封測(cè)業(yè)務(wù)卻轉(zhuǎn)變?yōu)楦?jìng)爭(zhēng)關(guān)系。

　　設(shè)備業(yè)者指出，進(jìn)入28納米制程之后，高階封測(cè)需求持續(xù)攀升，包括芯片尺寸覆晶封裝(FC CSP)、晶圓級(jí)封裝(WLCSP)等，由于高階封裝制程運(yùn)用不少凸塊(bump)制程，而晶圓廠已具備該制程生產(chǎn)能力，因此，早自2007年起便布局后段制程領(lǐng)域的臺(tái)積電，近期在后段制程自制比重明顯提升，投單客戶(hù)多為歐美無(wú)晶圓廠，至于臺(tái)系無(wú)晶圓廠尚未出現(xiàn)類(lèi)似狀況。

　　設(shè)備業(yè)者表示，由于歐美無(wú)晶圓廠客戶(hù)基于一元化解決方案的便利性，加上對(duì)良率要求更謹(jǐn)慎，擔(dān)心委外給封測(cè)廠會(huì)影響良率，因此，即使臺(tái)積電代工平均價(jià)格(ASP)較高，客戶(hù)仍欣然接受，但此舉無(wú)異是分食封測(cè)廠生意，臺(tái)積電跨足后段封測(cè)業(yè)務(wù)負(fù)面效應(yīng)開(kāi)始顯現(xiàn)。

　　封測(cè)業(yè)者表示，近期高階封測(cè)制程需求確實(shí)有增加態(tài)勢(shì)，由于晶圓面積從8寸進(jìn)入到12寸，制程從40納米微縮到28納米，使得每單位晶粒產(chǎn)出量大幅提高，晶圓代工單位成本隨之下滑，相對(duì)之下，單位封裝成本則升高，晶圓廠為控制成本及確保良率，遂跨足后段制程。

　　事實(shí)上，臺(tái)灣是全球封測(cè)業(yè)產(chǎn)值最大基地，2大封測(cè)龍頭廠日月光和矽品，與各家臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者關(guān)系密切，IC設(shè)計(jì)業(yè)者非常清楚封測(cè)業(yè)代工報(bào)價(jià)模式，對(duì)于臺(tái)積電收取高于專(zhuān)業(yè)封測(cè)廠的費(fèi)用，目前較無(wú)法接受。

　　不過(guò)，針對(duì)臺(tái)積電分食封測(cè)廠高階業(yè)務(wù)訂單，封測(cè)業(yè)者亦不是完全沒(méi)反擊機(jī)會(huì)，由于高階封測(cè)制程需要投入新的機(jī)器設(shè)備，以同樣資本支出金額而言，投入晶圓廠與封測(cè)廠的回收?qǐng)?bào)酬率大不相同，投入晶圓廠回收?qǐng)?bào)酬率遠(yuǎn)高于封測(cè)廠，因此，晶圓廠跨入封測(cè)領(lǐng)域在經(jīng)濟(jì)效益上未必劃算。

　　設(shè)備業(yè)者認(rèn)為，臺(tái)積電晶圓代工業(yè)務(wù)毛利率多為50~60%，而封測(cè)業(yè)務(wù)毛利率卻僅落在20~30%，因此，臺(tái)積電為維持毛利率水平，能否接受既有封測(cè)業(yè)務(wù)相對(duì)偏低的毛利率，畢竟這對(duì)于整體毛利率表現(xiàn)將造成影響，然擴(kuò)展封測(cè)業(yè)務(wù)又是公司既定策略，臺(tái)積電拓展高階封測(cè)業(yè)務(wù)恐將面臨兩難局面。