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爾必達(dá)25nm制程4Gbit內(nèi)存顆粒開發(fā)完成

—— 芯片面積在同類產(chǎn)品(4Gbit DRAM顆粒)中屬世界最小

作者：時(shí)間：2011-09-23 來源：驅(qū)動之家

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　　爾必達(dá)曾宣布采用25nm工藝制造的2Gbit內(nèi)存顆粒正式開始出貨。今日該公司正式發(fā)表公告稱，采用25nm新工藝制造的4Gbit DDR3 SDRAM顆粒研發(fā)完成，芯片面積在同類產(chǎn)品(4Gbit DRAM顆粒)中屬世界最小。

本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/123823.htm

　　新的內(nèi)存顆粒型號為EDJ4104BCBG/EDJ4108BCBG，位寬分別為4bit/8bit，爾必達(dá)稱相比自家之前的30nm制程4Gbit DDR3內(nèi)存顆粒，1枚晶圓可切割出的芯片數(shù)量增加了45%，極大降低了生產(chǎn)成本。同時(shí)運(yùn)行、待機(jī)時(shí)的電流值分別降低了25-30%和30-50%，最高傳輸速度可達(dá)1866Mbps以上(即此顆粒制成的內(nèi)存頻率最高1866MHz)，默認(rèn)電壓為1.5V，同時(shí)有低電壓1.35V的版本。

　　爾必達(dá)表示新的內(nèi)存顆粒將在今年12月份開始試產(chǎn)，預(yù)計(jì)也將在同月開始量產(chǎn)并批量出貨。

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關(guān)鍵詞： 爾必達(dá) DDR3 25nm

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