3D封裝TSV技術(shù)仍面臨三個(gè)難題

　　高通(Qualcomm)先進(jìn)工程部資深總監(jiān)Matt Nowak日前指出，在使用高密度的硅穿孔(TSV)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片堆疊的量產(chǎn)以前，這項(xiàng)技術(shù)還必須再降低成本才能走入市場(chǎng)。他同時(shí)指出，業(yè)界對(duì)該技術(shù)價(jià)格和商業(yè)模式的爭(zhēng)論，將成為這項(xiàng)技術(shù)未來(lái)發(fā)展的阻礙。

　　“如果我們無(wú)法解決價(jià)格問(wèn)題，那么TSV的發(fā)展道路將更加漫長(zhǎng)，”Nowak說(shuō)。他同時(shí)指出，在價(jià)格與成本之間仍然存在的極大障礙，加上新技術(shù)的不確定性所隱含的風(fēng)險(xiǎn)，以及實(shí)際的量產(chǎn)需求，形成了三個(gè)TSV技術(shù)所面臨的難題。

　　部份業(yè)界人士認(rèn)為，到2014年，智能手機(jī)用的移動(dòng)應(yīng)用處理器可能會(huì)采用TSV技術(shù)，成為率先應(yīng)用TSV量產(chǎn)的產(chǎn)品。JEDEC正在擬訂一個(gè)支持TSV的Wide I/O存儲(chǔ)器介面，其目標(biāo)是成為下一代采用層疊封裝(PoP)的低功耗DDR3鏈接的繼任技術(shù)。

　　“可提供12.8GB/s的LPDDR3主要針對(duì)下一代層疊封裝元件應(yīng)用，但Wide I/O也具有其市場(chǎng)潛力，”Nowak說(shuō)，他同時(shí)負(fù)責(zé)高通的TSV技術(shù)部份。“技術(shù)上來(lái)說(shuō)，Wide I/O可自2014年起進(jìn)入應(yīng)用，然而，價(jià)格和商業(yè)模式仍將是該技術(shù)發(fā)展的阻礙。”

　　TSV技術(shù)承諾將提升性能，同時(shí)也將降低功耗及縮小元件尺寸，以因應(yīng)包括移動(dòng)處理器在內(nèi)的各種應(yīng)用需求。

　　TSV的致命弱點(diǎn)仍然是它的成本，Nowak說(shuō)。“Wide I/O DRAM的價(jià)格較現(xiàn)有的PoP配置高出許多，而PoP也不斷改良，甚至未來(lái)有可能設(shè)法再開(kāi)發(fā)出一個(gè)新世代的產(chǎn)品，”他表示。

　　Nowak指出，一個(gè)名為EMC-3D的業(yè)界組織最近表示，以目前用于量產(chǎn)的工具模型為基礎(chǔ)來(lái)推估，TSV將使每片晶圓增加約120美元的成本。

　　目前該技術(shù)仍然缺乏明確的商業(yè)模式，而且定價(jià)問(wèn)題也頗為復(fù)雜，Nowak說(shuō)。例如，當(dāng)晶圓廠制作完成，以及在完成封裝后，哪個(gè)環(huán)節(jié)該為良率負(fù)責(zé)?

　　“一些公司可以扮演整合者的角色，但未來(lái)整個(gè)商業(yè)模式可能會(huì)有稍許改變，”他同時(shí)指出，目前業(yè)界已經(jīng)初步形成了一些TSV供應(yīng)鏈的伙伴關(guān)系。

　　動(dòng)機(jī)和進(jìn)展

　　高通已經(jīng)設(shè)計(jì)出一款28nm TSV元件的原型。“我們針對(duì)這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行了大量的開(kāi)發(fā)工作，”Nowak說(shuō)。

　　更廣泛的說(shuō)，TSV可協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)延續(xù)其每年降低30%晶體管成本的傳統(tǒng)。Nowak也表示，在不使用TSV技術(shù)的情況下，由于超紫外光(EUV)延遲而不斷上升的光刻成本，也對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)維持光刻和進(jìn)展的步伐提出嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。

　　好消息是工程師們?cè)诮鉀QTSV堆疊所面臨的挑戰(zhàn)方面時(shí)有進(jìn)展。“雖然挑戰(zhàn)仍然很多，但至少目前我們已經(jīng)建立了一些基礎(chǔ)和所需的專有知識(shí)，”他表示。

　　他同時(shí)指出，臺(tái)積電(TSMC)今年度在VLSI Symposium上報(bào)告已建構(gòu)出一種更好的TSV介電質(zhì)襯底(dielectric liner)。工程師展示了高度深寬比(aspect ratios)為10:1的試制過(guò)孔，并減輕了外部銅材料擠壓過(guò)孔的問(wèn)題。