力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能

　　力晶在2012年起將會(huì)大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會(huì)以NAND FLASH填補(bǔ)，后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠(yuǎn)未來(lái)，力晶仍會(huì)保留DRAM技術(shù)，待3D-IC以及TSV的技術(shù)成熟時(shí)，將會(huì)以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區(qū)各技術(shù)領(lǐng)域最完整之晶圓廠。

　　隨著力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴(kuò)大至Flash產(chǎn)品上，加上原先代工如LCD Driver及非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，希望明年標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的投片僅占總投片量的20%，力晶將成為代工與Flash為主要業(yè)務(wù)的公司，也算是宣告退出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場(chǎng)，與國(guó)際大廠相比，臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)由于制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度緩慢及過(guò)多比例放在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM上，導(dǎo)致今年至今虧損達(dá)臺(tái)幣586億元，由于DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過(guò)于求的狀況，加上國(guó)際大廠在第四季積極轉(zhuǎn)入30nm制程，集邦科技(TrendForce)預(yù)估明年上半年供過(guò)于求依然超過(guò)15%，故部份臺(tái)系DRAM廠早已展開(kāi)轉(zhuǎn)型之路，除了前述力晶之外，南科也將逐步轉(zhuǎn)入利基型與服務(wù)器記憶體為主，華亞科在美光的服務(wù)器記憶體的訂單下，也希望將服務(wù)器記憶體比重拉到30-50%，華邦則是早已轉(zhuǎn)型成功，專(zhuān)攻行動(dòng)式記憶體與NOR Flash為主要市場(chǎng)。

　　放眼2012年，將是臺(tái)系DRAM廠轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵年，只要能降低標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的生產(chǎn)量，將有機(jī)會(huì)在嚴(yán)峻的市場(chǎng)中生存下來(lái)。