中微推出硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV200E

　　中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(以下簡稱“中微”)推出了8英寸硅通孔(TSV)刻蝕設(shè)備Primo TSV200E(TM) -- 該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊且具有極高的生產(chǎn)率，可應(yīng)用于8英寸晶圓微電子器件、微機電系統(tǒng)、微電光器件等的封裝。繼中微第一代和第二代甚高頻去耦合等離子刻蝕設(shè)備Primo D-RIE(TM) 和Primo AD-RIE(TM)之后，中微的這一TSV刻蝕設(shè)備將被用于生產(chǎn)芯片的3D封裝、CMOS圖像感測器、發(fā)光二極管、微機電系統(tǒng)等。中微的8英寸硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV200E(TM)已經(jīng)進入昆山西鈦微電子和江陰長電的生產(chǎn)線，以支持其先進的封裝生產(chǎn)制造。預(yù)計中微不久還將收到來自臺灣和新加坡的訂單。

　　中微的TSV刻蝕設(shè)備和同類產(chǎn)品相比有相當多的優(yōu)點，在各種TSV刻蝕應(yīng)用中表現(xiàn)出色。這些優(yōu)點包括：雙反應(yīng)臺的設(shè)計有效提高了產(chǎn)出率;獨特設(shè)計的預(yù)熱腔室保證了機臺運行的高可靠性和高效能;獨特的氣體分布系統(tǒng)設(shè)計大大提高了刻蝕均勻性和刻蝕速率。這些特點使中微TSV刻蝕設(shè)備的單位投資產(chǎn)出率比市場上其他同類設(shè)備提高了30%。

　　中微此次推出的TSV刻蝕設(shè)備Primo TSV200E(TM)標志著公司在發(fā)展歷程中又邁出了新的一步，使中微的設(shè)備進入了這一快速發(fā)展的市場前沿。據(jù)市場調(diào)查公司Yole Developpement*預(yù)測，三維芯片及晶圓級封裝設(shè)備的市場規(guī)模今年將達到7.88億美元，2016年將攀升至24億美元。TSV刻蝕設(shè)備將占據(jù)市場份額的一大部分，而其中的強勁需求多來自于中國企業(yè)。

　　中微開發(fā)TSV刻蝕設(shè)備恰恰滿足了這樣的需求。CMOS圖像傳感器、發(fā)光二極管、微機電系統(tǒng)以及其他許多裝置都離不開微小的系統(tǒng)級芯片(SoC)，而3D IC技術(shù)則是實現(xiàn)系統(tǒng)級芯片的必要條件。隨著半導(dǎo)體關(guān)鍵尺寸日益縮小，采用新的堆疊處理方法勢在必行。先進芯片變得日益復(fù)雜，就要求必須在能耗和性能之間尋求平衡。通過芯片的堆疊，連接線比傳統(tǒng)的鍵合線更短，這就提高了封裝密度，加快了數(shù)據(jù)傳輸和處理速度，并降低了能耗，所有這些在更小的單元中就可以實現(xiàn)。

　　江陰長電賴志明總經(jīng)理表示：“3D IC封裝是江陰長電先進封裝的發(fā)展方向，技術(shù)關(guān)鍵是TSV工藝集成。中微的TSV刻蝕設(shè)備體現(xiàn)了出色的工藝性能，很好地支持了江陰長電先進封裝的新產(chǎn)品開發(fā)，并能始終保持競爭優(yōu)勢。我們很高興能與中微合作。”

　　昆山西鈦的周浩總經(jīng)理說道：“中微是昆山西鈦在先進封裝生產(chǎn)中的一個重要合作伙伴，昆山西鈦很愿意和這樣一個鄰近的半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備供應(yīng)商合作，來支持我們在TSV技術(shù)方面的需求。中微的8英寸硅通孔刻蝕設(shè)備經(jīng)過不斷的改進，現(xiàn)有設(shè)備已證明有很好的工藝性能、高產(chǎn)出率和低生產(chǎn)成本，這些都為確保我們產(chǎn)品的高質(zhì)量奠定了重要基礎(chǔ)。”

　　“對于我們TSV刻蝕設(shè)備的客戶來說，提高生產(chǎn)率和單位投資產(chǎn)出率無疑是極其必要的。”中微副總裁倪圖強博士說道，“客戶的產(chǎn)品線在不斷演變，這就意味著他們需要這樣一種設(shè)備 -- 可以靈活、最大范圍地刻蝕加工各種產(chǎn)品。而客戶采用了Primo TSV200E(TM)就能以更快的速度加工晶圓片，同時保證高可靠性和低成本。我們很高興中微首批TSV刻蝕設(shè)備已經(jīng)進入了像昆山西鈦微電子和江陰長電這樣的創(chuàng)新型企業(yè)。”

　　Primo TSV200E(TM)的核心在于它擁有雙反應(yīng)臺的反應(yīng)器，既可以單獨加工單個晶圓片，又可以同時加工兩個晶圓片。中微的這一TSV刻蝕設(shè)備可安裝多達三個雙反應(yīng)臺的反應(yīng)器。與同類競爭產(chǎn)品僅有單個反應(yīng)臺的設(shè)備相比，中微TSV刻蝕設(shè)備的這一特點使晶圓片產(chǎn)出量近乎翻了一番，同時又降低了加工成本。此外，該設(shè)備具有的去耦合高密度等離子體源和偏置電壓使它在低壓狀態(tài)下提高了刻蝕速率，并能夠在整個工藝窗口中實現(xiàn)更高的靈活度。中微具有自主知識產(chǎn)權(quán)的氣體分布系統(tǒng)設(shè)計也提高了刻蝕速率和刻蝕的均勻性，并在整個加工過程中優(yōu)化了工藝性能，射頻脈沖偏置則有效減少了輪廓凹槽。

　　中微8英寸硅通孔刻蝕設(shè)備現(xiàn)已面市，12英寸的硅通孔刻蝕設(shè)備也正在研發(fā)中。