中微推出硅通孔刻蝕設備Primo TSV200E

　　中微半導體設備有限公司(以下簡稱“中微”)推出了8英寸硅通孔(TSV)刻蝕設備Primo TSV200E(TM) -- 該設備結構緊湊且具有極高的生產率，可應用于8英寸晶圓微電子器件、微機電系統(tǒng)、微電光器件等的封裝。繼中微第一代和第二代甚高頻去耦合等離子刻蝕設備Primo D-RIE(TM) 和Primo AD-RIE(TM)之后，中微的這一TSV刻蝕設備將被用于生產芯片的3D封裝、CMOS圖像感測器、發(fā)光二極管、微機電系統(tǒng)等。中微的8英寸硅通孔刻蝕設備Primo TSV200E(TM)已經進入昆山西鈦微電子和江陰長電的生產線，以支持其先進的封裝生產制造。預計中微不久還將收到來自臺灣和新加坡的訂單。

　　中微的TSV刻蝕設備和同類產品相比有相當多的優(yōu)點，在各種TSV刻蝕應用中表現出色。這些優(yōu)點包括：雙反應臺的設計有效提高了產出率;獨特設計的預熱腔室保證了機臺運行的高可靠性和高效能;獨特的氣體分布系統(tǒng)設計大大提高了刻蝕均勻性和刻蝕速率。這些特點使中微TSV刻蝕設備的單位投資產出率比市場上其他同類設備提高了30%。

　　中微此次推出的TSV刻蝕設備Primo TSV200E(TM)標志著公司在發(fā)展歷程中又邁出了新的一步，使中微的設備進入了這一快速發(fā)展的市場前沿。據市場調查公司Yole Developpement*預測，三維芯片及晶圓級封裝設備的市場規(guī)模今年將達到7.88億美元，2016年將攀升至24億美元。TSV刻蝕設備將占據市場份額的一大部分，而其中的強勁需求多來自于中國企業(yè)。

　　中微開發(fā)TSV刻蝕設備恰恰滿足了這樣的需求。CMOS圖像傳感器、發(fā)光二極管、微機電系統(tǒng)以及其他許多裝置都離不開微小的系統(tǒng)級芯片(SoC)，而3D IC技術則是實現系統(tǒng)級芯片的必要條件。隨著半導體關鍵尺寸日益縮小，采用新的堆疊處理方法勢在必行。先進芯片變得日益復雜，就要求必須在能耗和性能之間尋求平衡。通過芯片的堆疊，連接線比傳統(tǒng)的鍵合線更短，這就提高了封裝密度，加快了數據傳輸和處理速度，并降低了能耗，所有這些在更小的單元中就可以實現。

　　江陰長電賴志明總經理表示：“3D IC封裝是江陰長電先進封裝的發(fā)展方向，技術關鍵是TSV工藝集成。中微的TSV刻蝕設備體現了出色的工藝性能，很好地支持了江陰長電先進封裝的新產品開發(fā)，并能始終保持競爭優(yōu)勢。我們很高興能與中微合作。”

　　昆山西鈦的周浩總經理說道：“中微是昆山西鈦在先進封裝生產中的一個重要合作伙伴，昆山西鈦很愿意和這樣一個鄰近的半導體刻蝕設備供應商合作，來支持我們在TSV技術方面的需求。中微的8英寸硅通孔刻蝕設備經過不斷的改進，現有設備已證明有很好的工藝性能、高產出率和低生產成本，這些都為確保我們產品的高質量奠定了重要基礎。”

　　“對于我們TSV刻蝕設備的客戶來說，提高生產率和單位投資產出率無疑是極其必要的。”中微副總裁倪圖強博士說道，“客戶的產品線在不斷演變，這就意味著他們需要這樣一種設備 -- 可以靈活、最大范圍地刻蝕加工各種產品。而客戶采用了Primo TSV200E(TM)就能以更快的速度加工晶圓片，同時保證高可靠性和低成本。我們很高興中微首批TSV刻蝕設備已經進入了像昆山西鈦微電子和江陰長電這樣的創(chuàng)新型企業(yè)。”

　　Primo TSV200E(TM)的核心在于它擁有雙反應臺的反應器，既可以單獨加工單個晶圓片，又可以同時加工兩個晶圓片。中微的這一TSV刻蝕設備可安裝多達三個雙反應臺的反應器。與同類競爭產品僅有單個反應臺的設備相比，中微TSV刻蝕設備的這一特點使晶圓片產出量近乎翻了一番，同時又降低了加工成本。此外，該設備具有的去耦合高密度等離子體源和偏置電壓使它在低壓狀態(tài)下提高了刻蝕速率，并能夠在整個工藝窗口中實現更高的靈活度。中微具有自主知識產權的氣體分布系統(tǒng)設計也提高了刻蝕速率和刻蝕的均勻性，并在整個加工過程中優(yōu)化了工藝性能，射頻脈沖偏置則有效減少了輪廓凹槽。

　　中微8英寸硅通孔刻蝕設備現已面市，12英寸的硅通孔刻蝕設備也正在研發(fā)中。