20nm制程后年來(lái)到：臺(tái)積電Fab 14五期動(dòng)工

　　根據(jù)官網(wǎng)消息，臺(tái)積電于今日在臺(tái)南科學(xué)工業(yè)園區(qū)舉行Fab 14超大型晶圓廠五期奠基儀式。此前本站曾經(jīng)報(bào)道臺(tái)積電Fab 14五期將可極大緩解28nm制程工藝產(chǎn)能不足的現(xiàn)狀，但從今日公告看來(lái)其意義遠(yuǎn)不僅僅如此。

　　臺(tái)積電稱，今日奠基的Fab 14五期將是臺(tái)積電繼新竹園區(qū)Fab 12六期之后第二座具備20nm制程工藝生產(chǎn)能力的超大型12英寸晶圓廠，預(yù)計(jì)將于2014年初進(jìn)行量產(chǎn)。兩座晶圓廠總無(wú)塵潔凈室面積高達(dá)87000平方米，超過(guò)11個(gè)足球場(chǎng)的面積，是一般2英寸晶圓廠的4倍。臺(tái)積電稱該公司的20nm制程工藝預(yù)計(jì)也將領(lǐng)先其余同行推出。

　　Fab 14一至四期總產(chǎn)能為每季度55萬(wàn)片12英寸晶圓，規(guī)模為全球第一，每年總產(chǎn)值預(yù)計(jì)超過(guò)60億美元。未來(lái)臺(tái)積電的兩座20nm制程工藝廠房Fab 14五期和Fab 14六期的產(chǎn)值之和將擁有類似規(guī)模。

　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)兼CEO張忠謀表示，未來(lái)該公司將提高投資規(guī)模，進(jìn)一步鞏固臺(tái)積電在全球半導(dǎo)體業(yè)的領(lǐng)先地位。由于28nm制程遠(yuǎn)遠(yuǎn)供不應(yīng)求的狀況超出預(yù)期，在加大28nm制程工藝產(chǎn)能的同時(shí)臺(tái)積電還將提前做好準(zhǔn)備向20nm過(guò)渡。