<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 市場(chǎng)分析 > 未來(lái)5年 氮化鎵襯底引領(lǐng)LED襯底發(fā)展潮流

          未來(lái)5年 氮化鎵襯底引領(lǐng)LED襯底發(fā)展潮流

          —— 未來(lái)氮化鎵襯底不完全取代藍(lán)寶石襯底
          作者: 時(shí)間:2012-05-13 來(lái)源:LED制造 收藏

            在當(dāng)今日美壟斷芯片核心技術(shù)的格局下,中國(guó)企業(yè)如何打破格局,完成技術(shù)攻堅(jiān),促進(jìn)發(fā)展顯得尤為重要。目前,LED襯底類別包括藍(lán)寶石、碳化硅、硅以及被稱為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/132317.htm

            與傳統(tǒng)襯底材料相比,氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越特性,是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。時(shí)至今日,相對(duì)于藍(lán)寶石、碳化硅等襯底的性能優(yōu)勢(shì)顯而易見,最大難題在于價(jià)格過(guò)高。

            厚膜的襯底產(chǎn)品方面:產(chǎn)品有10~50微米的不同規(guī)格,常用的是20~30微米。位錯(cuò)密度在107cm~3量級(jí),根據(jù)不同的技術(shù)參數(shù)可分為兩種即n型摻雜與半絕緣。n型摻雜主要運(yùn)用于LED等光電器件,半絕緣主要運(yùn)用于電力電子、微波器件上。

            自支撐氮化鎵(GaN)襯底方面:位錯(cuò)密度在105cm-3量級(jí),根據(jù)不同的技術(shù)參數(shù)分為三種,即n型摻雜、半絕緣與非摻雜。n型氮化鎵,主要運(yùn)用于LED、激光器方面;半絕緣則運(yùn)用于高功率微波器件或大電流高電壓的開關(guān)上。非摻雜即高純度氮化鎵,在探測(cè)器上的應(yīng)用較為廣泛,要求材料的電子濃度越低越好。納維非摻雜氮化鎵產(chǎn)品,X射線(002)半峰寬為50秒、(102)半峰寬為80秒左右,塊體材料的電子遷移率超過(guò)1500cmV-1s-1,處于國(guó)際前列水平。納維是國(guó)際上能夠生產(chǎn)銷售氮化鎵自支撐晶片的少數(shù)幾個(gè)單位之一。

            HVPE法生長(zhǎng)GaN自支撐襯底

            HVPE主要是金屬鎵、氯化氫、氨氣,金屬鎵和氯化氫發(fā)生反應(yīng),生成氯化鎵,氯化鎵在200℃后變成氣體,以這個(gè)為原材料,進(jìn)而通過(guò)在襯底表面上與氨氣反應(yīng)變成氮化鎵。HVPE這種生成方法,在表面的化學(xué)飽和度非常高,因此,其生長(zhǎng)速度非??欤萂OCVD的生長(zhǎng)速度快50~100倍,它一個(gè)小時(shí)能夠生長(zhǎng)200~300個(gè)微米,可以在短時(shí)間內(nèi)把這個(gè)材料變成高質(zhì)量的氮化鎵,這是它的一個(gè)特點(diǎn)。

            未來(lái)5年,氮化鎵的價(jià)格將下降10~20倍,4~6寸進(jìn)入市場(chǎng)

            現(xiàn)在LED盛行的風(fēng)潮下,氮化鎵作為半導(dǎo)體發(fā)光二極管應(yīng)用于LED照明也已經(jīng)在中國(guó)發(fā)展得風(fēng)起云涌。上的同質(zhì)外延與藍(lán)寶石襯底上的異質(zhì)外延,單從技術(shù)角度上講,異質(zhì)外延缺陷密度比同質(zhì)外延的氮化鎵高出2~3個(gè)數(shù)量級(jí);氮化鎵具有導(dǎo)電的特點(diǎn),可以做成垂直結(jié)構(gòu)的芯片,這樣,外延片的利用面積比藍(lán)寶石的提高1.5倍;做成垂直結(jié)構(gòu)之后,氮化鎵上電流密度可以很高,期望一個(gè)上的芯片可以抵十個(gè)藍(lán)寶石襯底上的芯片。美國(guó)的Sorra和日本的NGK已經(jīng)開始大力開發(fā)這類芯片,并取得重要突破,達(dá)到同樣亮度,氮化鎵襯底上制作的LED能耗比傳統(tǒng)芯片低一半以上。

            隨著氮化鎵的規(guī)模量產(chǎn)和價(jià)格的下降,以及LED外延技術(shù)的不斷發(fā)展,當(dāng)將芯片電流密度提高到5~10倍時(shí),氮化鎵在LED上運(yùn)用的優(yōu)勢(shì)會(huì)比藍(lán)寶石明顯很多,這是大家看好的未來(lái)的一個(gè)發(fā)展方向。預(yù)計(jì)未來(lái)5年,用于LED的氮化鎵襯底價(jià)格能夠降10~20倍,氮化鎵襯底在單位流明價(jià)格上會(huì)取得顯著優(yōu)勢(shì)。我們對(duì)未來(lái)非常有信心。

            未來(lái)氮化鎵襯底不完全取代藍(lán)寶石襯底

            藍(lán)寶石襯底根據(jù)它獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),以及通過(guò)規(guī)模生產(chǎn)在未來(lái)大幅降低成本的可能性,在未來(lái)很長(zhǎng)一段時(shí)間里將成為L(zhǎng)ED襯底市場(chǎng)主流。對(duì)此,徐總表示認(rèn)同,在數(shù)量規(guī)模上,藍(lán)寶石一定是未來(lái)一段時(shí)期的主流?,F(xiàn)在不同襯底技術(shù)在細(xì)分領(lǐng)域上發(fā)展還不是很充分。將來(lái)氮化鎵大規(guī)模發(fā)展之后也不會(huì)完全取代藍(lán)寶石。

            藍(lán)寶石襯底在對(duì)亮度等各方面要求不高時(shí)有它的優(yōu)勢(shì)。未來(lái)通用照明及對(duì)發(fā)光強(qiáng)度要求光效,光的穩(wěn)定性等要求非常高的情況下,氮化鎵的產(chǎn)品有它的優(yōu)勢(shì)。尤其是將LED作為新的光源,不是說(shuō)簡(jiǎn)單的紅綠藍(lán)景觀燈,而用在投影儀上,投射燈、汽車燈、閃光燈等方面,氮化鎵襯底有它的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。

            韓國(guó)當(dāng)初預(yù)計(jì),LED液晶電視的需求量非常大,每臺(tái)LEDTV需要900顆LED,算起來(lái)這個(gè)需求非常大,但是隨著技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)在做LED電視實(shí)際只需要100顆不到,而不是當(dāng)初的900顆,這樣,需求量差不多縮小了十倍。



          關(guān)鍵詞: LED 氮化鎵襯底

          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();