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          由東芝投資普瑞光電制造出8英寸硅襯底的LED

          作者: 時間:2012-05-16 來源:LED制造 收藏

            雖然和普瑞光電合作僅數(shù)月,他們已經(jīng)對外公布在8英寸生長出高品質(zhì)的GaN,所得LED芯片大小為1.1mm。在電壓不超過3.1V,電流為350mA的情況下該芯片功耗為614mW。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/132482.htm

            合作中,除了提供自己先進的硅制造工藝和一些生產(chǎn)技術(shù)的研發(fā)支持外,還對普瑞光電進行了股權(quán)投資,看好普瑞在固態(tài)照明領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新實力。該項投資將進一步促進雙方在固態(tài)照明行業(yè)為降低成本所做的努力。



          關(guān)鍵詞: 東芝 硅襯底

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