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          瑞薩聯(lián)袂臺(tái)積電 外包40nm閃存工藝
          
						
          —— 瑞薩電子和臺(tái)積電周一宣布增進(jìn)在微控制器領(lǐng)域的合作
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2012-05-29
				來(lái)源：semi
				
				
				
				
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          　　正如預(yù)期，瑞薩電子和臺(tái)積電周一宣布增進(jìn)在微控制器領(lǐng)域的合作，而微控制器領(lǐng)域可謂是瑞薩的地盤。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/132954.htm

          　　這兩家公司周一宣布，在將MCU技術(shù)的合作擴(kuò)展到40nm嵌入式閃存處理技術(shù)，這樣，臺(tái)積電將有能力為其客戶提供MONOS(金屬氧化氮氧化硅)嵌入式閃存工藝平臺(tái)。
          

          　　這件事似乎還只是瑞薩整個(gè)大修整中的一部分。媒體發(fā)布會(huì)上并未提及向臺(tái)積電轉(zhuǎn)讓Yamagata 的芯片廠等事宜。
          

          　　瑞薩已經(jīng)將90nm閃存處理技術(shù)外包給臺(tái)積電。如今，臺(tái)積電又取得了瑞薩40nm及未來(lái)技術(shù)的外包權(quán)。通過(guò)建立MONOS處理平臺(tái)，瑞薩和臺(tái)積電希望建立一個(gè)生態(tài)系統(tǒng)從而擴(kuò)大客戶群。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            瑞薩
                        40nm
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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