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          英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

          —— 讓太陽(yáng)能逆變器的能效達(dá)到更高水平
          作者: 時(shí)間:2012-06-20 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電能品質(zhì)國(guó)際研討會(huì)與展覽會(huì)”上,科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolTM 1200V 系列,該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了(碳化硅)產(chǎn)品市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。這個(gè)革命性的新產(chǎn)品系列,立足于在SiC技術(shù)開發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)?! ?/p>本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/133746.htm

           

            英飛凌科技股份公司高壓功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品部負(fù)責(zé)人Jan-Willem Reynaerts指出:“英飛凌已針對(duì)需要高效電源管理的市場(chǎng)推出了多項(xiàng)突破性技術(shù)。CoolSiCTM 也是一種革命性的創(chuàng)新技術(shù),可將太陽(yáng)能逆變器的性能提升至新的水平。憑借新型SiC 技術(shù),我們可以幫助客戶開發(fā)出更好的氣候保護(hù)解決方案。”

            與IGBT相比,新型 CoolSiCTM 1200V SiC 大幅度降低了開關(guān)損耗,在不犧牲系統(tǒng)總體效率的情況下,可以支持更高的開關(guān)頻率。這為使用更小的無源元件創(chuàng)造了條件,其結(jié)果是縮小客戶設(shè)計(jì)的產(chǎn)品的尺寸,降低其重量,并壓縮系統(tǒng)成本。換言之,設(shè)計(jì)人員可在不增加太陽(yáng)能逆變器體積的情況下,實(shí)現(xiàn)更高的輸出功率。

            為了確保常通型JFET技術(shù)的安全性和易用性,英飛凌開發(fā)出一種被稱為直驅(qū)技術(shù)的概念。在這一概念中,JFET與外部低壓MOSFET和專用的驅(qū)動(dòng)芯片組合在一起,確保了安全的系統(tǒng)啟動(dòng),以及快速可控的開關(guān)。

            CoolSiCTM JFET集成了一個(gè)體二極管,其開關(guān)性能可媲美外置SiC肖特基勢(shì)壘二極管。這種組合最大限度提高了器件的效率、可靠性、安全性和易用性。

            供貨和定價(jià)

            CoolSiCTM JFET產(chǎn)品和驅(qū)動(dòng)芯片的首批樣品于2012年第二季度供貨。OEM量產(chǎn)預(yù)計(jì)將于2013年上半年開始。IJW120R100T1 (100mOhm)的定價(jià)為每件24.90美元(€ 18.44)(起訂量為1,000件)。



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