科銳推出S波段GaN器件

　　科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出可適用于軍用和商用S 波段雷達(dá)中的高效GaN HEMT 晶體管。新型 S 波段GaN HEMT 晶體管的額定功率為60W，頻率為 3.1至3.5GHz 之間，與傳統(tǒng)Si或 GaAs MESFET 器件相比，能夠提供優(yōu)越的漏極效率(接近70%)。同時(shí)，高效率和高功率密度的結(jié)合有助于最大限度地降低散熱的要求，并減少在商用雷達(dá)系統(tǒng)應(yīng)用中的尺寸與重量。

　　科銳無線射頻(RF)及微波部門總監(jiān) Jim Milligan表示：“新型 S 波段 GaN HEMT 器件的推出豐富了科銳高效 S 波段GaN晶體管與單片式微波集成電路(MMIC)產(chǎn)品系列，從而為客戶在商用雷達(dá)系統(tǒng)高功率放大電路的應(yīng)用中提供更多的選擇。高效的 S 波段 GaN HEMT 器件率，在具有優(yōu)異信號(hào)保真度的同時(shí)擴(kuò)展脈沖能力，并最大限度地降低散熱管理需求，從而能夠幫助無線射頻設(shè)計(jì)工程師大幅度地降低雷達(dá)系統(tǒng)的尺寸和重量，同時(shí)擴(kuò)大應(yīng)用范圍并降低安裝成本。”

　　科銳 CGH35060 GaN HEMT 晶體管28V 工作電壓下的額定脈沖功率為 60W(當(dāng)脈寬為100微秒時(shí))，功率增益為12dB，漏極效率為 65%，與傳統(tǒng)硅 LDMOS 器件相比高出50%。CGH35060 型 GaN 器件已經(jīng)在高功率放大器參考設(shè)計(jì)(S 波段頻率在3.1至3.5GHz 之間)中得到驗(yàn)證。與 GaAs和Si技術(shù)相比，CGH35060 還具有長脈沖、高功率性能(低于0.6dB)、優(yōu)異的信號(hào)保真度以及非常低的功率衰減等特性。

　　新型GaN HEMT 晶體管與科銳 S 波段全套產(chǎn)品系列相匹配，包括CGH31240F/CGH35240F全面匹配240W GaN HEMT 器件(2.7 – 2.9GHz / 3.1 – 3.5GHz)以及CMPA2735075F兩級(jí)封裝GaN HEMT 單片式微波集成電路(MMIC)。