瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

　　瑞薩電子公司 (TSE: 6723)，高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商，日前宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管(超級(jí)結(jié)MOSFET)，具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。這一行業(yè)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和低柵極電壓的組合平臺(tái)，同時(shí)結(jié)合了快速體二極管的性能，使新型RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE這三款器件有助于提高家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)的效率，如空調(diào)等采用帶逆變控制的高速電機(jī)的家電?！　?/p>本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/134458.htm

　　近年來(lái)，對(duì)于環(huán)保的日益重視使人們不斷致力于提高電子設(shè)備的能源效率并減少能源消耗。特別是對(duì)于空調(diào)和電視等家用電器中的電源電路，更加強(qiáng)調(diào)要降低能耗并提高效率。這就催生了對(duì)于降低這些產(chǎn)品中，功率器件功耗的需求(這是更低導(dǎo)通電阻和更好的開關(guān)特性的功能)，從而提高整體的能源使用效率。

　　過(guò)去，采用高壓、高速電機(jī)和逆變器的空調(diào)和其它家用電器，一般會(huì)在一個(gè)封裝中采用帶分立式快恢復(fù)二極管(FRD)的IGBT，以實(shí)現(xiàn)短的反向恢復(fù)時(shí)間(trr)。目前，對(duì)于更加高速開關(guān)的需求，以及在穩(wěn)態(tài)運(yùn)行和高性能狀態(tài)下的更低功耗需求，產(chǎn)生了對(duì)于帶快速恢復(fù)體二極管特性的超級(jí)結(jié)MOSFET的需求。與傳統(tǒng)的平面架構(gòu)不同，超級(jí)結(jié)MOSFET在不降低器件耐壓能力的情況下，降低了導(dǎo)通電阻，使其可以產(chǎn)生具有每單位面積更低的導(dǎo)通電阻。隨著行業(yè)向著更加節(jié)能的方向發(fā)展，為了滿足對(duì)于這些器件日益增長(zhǎng)的需求，瑞薩公司利用其在功率器件技術(shù)方面積累的豐富經(jīng)驗(yàn)，新開發(fā)了一系列采用高速體二極管的高性能超級(jí)結(jié)MOSFET，實(shí)現(xiàn)了低功耗，并提升了高速開關(guān)性能。

　　新款超級(jí)結(jié)MOSFET的主要特性：

　　(1) 業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻
　　憑借從早期為PC服務(wù)器和LCD TV等應(yīng)用所設(shè)計(jì)的超級(jí)結(jié)MOSFET器件中積累的經(jīng)驗(yàn)，瑞薩已經(jīng)在具有低柵極電壓的600V功率半導(dǎo)體器件上實(shí)現(xiàn)了150 mΩ(典型值)的導(dǎo)通電阻。這就為采用高速電機(jī)和逆變控制的家用電器等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了電源效率的改善。

　　(2)更短的反向恢復(fù)時(shí)間
　　新款超級(jí)結(jié)MOSFET器件具有內(nèi)置的快速體二極管，其規(guī)格優(yōu)化用于高速電機(jī)控制應(yīng)用。二極管的反向恢復(fù)時(shí)間顯著縮短，僅為150ns，約為現(xiàn)有類似功率超級(jí)結(jié)MOSFET器件中二極管的三分之一。

　　(3)高速開關(guān)性能，顯著降低鳴響等副作用
　　瑞薩通過(guò)優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)，改進(jìn)了漏柵電容，從而最大限度地減少鳴響，同時(shí)還保證了高速的開關(guān)性能。這一改進(jìn)有助于降低功耗和穩(wěn)定操作，特別適用于三相橋式電路，廣泛用于高速電機(jī)和逆變器控制應(yīng)用中。

　　瑞薩通過(guò)提供總的信號(hào)鏈解決方案持續(xù)為客戶提供技術(shù)支持，方案將微控制器(MCU)與模擬和功率器件相結(jié)合，并希望增加其作為功率半導(dǎo)體器件全球領(lǐng)先供應(yīng)商的地位。瑞薩考慮將這一新的高精度超級(jí)結(jié)MOSET器件系列作為其高壓功率器件陣列的核心，旨在進(jìn)一步增強(qiáng)其產(chǎn)品系列。瑞薩還將針對(duì)電機(jī)和反極器應(yīng)用擴(kuò)大其配套解決方案的范圍，將新的超級(jí)結(jié)MOSFET器件與瑞薩RL78系列低功率MCU，RX系列中檔MCU、以及用以驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件的光耦相結(jié)合。整合了新型超級(jí)結(jié)MOSFET器件的參考開發(fā)板也計(jì)劃推出，從而為客戶提供配套評(píng)估和產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面的支持。

　　超級(jí)結(jié)MOSFET器件的外形可采用相當(dāng)于下列工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝：TO-220FP (RJL60S5DPP), TO-3P (RJL60S5DPK)和LDPAK (RJL60S5DPE)

　　價(jià)格和供貨情況

　　瑞薩電子新款RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE SJ- MOSFET將于2012年9月推出，價(jià)格為每片US$2.0。量產(chǎn)計(jì)劃于2012年12月進(jìn)行，到2013年3月三種產(chǎn)品的月產(chǎn)量總額將達(dá)到500,000片。(價(jià)格和供貨情況如有變化，恕不另行通知。)

　　請(qǐng)參考附表，了新產(chǎn)品的主要技術(shù)規(guī)格。

　　附表

　　新型超級(jí)結(jié)MOSFET的產(chǎn)品規(guī)格

• 所有產(chǎn)品版本共有的項(xiàng)目

　　■ 額定通道溫度 (Tch): +150°C
　　■ 額定漏極電壓 (VDSS): 600 V
　　■ 額定的柵極源電壓(VGSS): ±30 V
　　■ 額定的漏電流(ID): 20 A at Tc = 25 C
　　■ 導(dǎo)通電阻 (RDS(on))，典型值: 150 mΩ (當(dāng) ID = 10 A, VGS = 10 V時(shí))
　　■ 反向傳輸電容 (Crss)，典型值: 13 pF (VDS = 25 V)
　　■ 柵極源闕值電壓 (VGS (OFF)): Min. 3 V 至最大 5 V
　　■ 體二極管FRD 前向電壓(VF): 0.96 V (當(dāng) IF = 10 A時(shí))
　　■ 體二極管FRD 反向恢復(fù)時(shí)間(trr): 150 ns (當(dāng)ID = 20 A時(shí))

• 封裝

　　■ RJL60S5DPP-E0: TO-220FP
　　■ RJL60S5DPK-M0: TO-3PSG
　　■ RJL60S5DPE-00: LDPAK