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          瑞薩第七代650V和1250V IGBT建立新技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)

          —— 可以在工業(yè)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效的解決方案
          作者: 時(shí)間:2012-07-25 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            電子公司(TSE: 6723),高級半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商,日前宣布為其第七代具有業(yè)界領(lǐng)先性能的絕緣柵雙極晶體管()陣列增加13款新產(chǎn)品。新的包括采用650V電壓的RJH/RJP65S系列和采用1250V電壓的RJP1CS系列。新的作為功率半導(dǎo)體器件,用于將DC轉(zhuǎn)換成AC電源的系統(tǒng)中,設(shè)計(jì)用于對應(yīng)高電壓和大電流的應(yīng)用,如太陽能發(fā)電機(jī)和工業(yè)電機(jī)用功率調(diào)節(jié)器(功率轉(zhuǎn)換器)。第七代技術(shù),采用增強(qiáng)型薄化工藝,在傳導(dǎo)、開關(guān)損耗以及耐受能力之間達(dá)到了低損耗平衡,以承受短路情況的發(fā)生。  

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/135024.htm
           

            與之前采用第六代技術(shù)的600V和1200V產(chǎn)品相比,第七代產(chǎn)品系列具有650V和1250V的更高額定電壓,以滿足低溫性能要求和過壓阻斷能力。

            IGBT適用于電機(jī)控制應(yīng)用。在這些應(yīng)用中,器件的短路保護(hù)性能是一個設(shè)計(jì)中的重要參數(shù)選擇。第七代IGBT系列具有了10 µs的額定短路耐受力,使其適用于通用電機(jī)。

            最近,對環(huán)保和其它因素的關(guān)注推動了對于提高電子設(shè)備能效的要求,并且要求向著太陽能和風(fēng)能等清潔能源進(jìn)行轉(zhuǎn)換。在處理高電壓和大電流的設(shè)備(如太陽能逆變器、噴水泵,和大電流逆變控制電機(jī))的領(lǐng)域,這種提高效率的努力尤為積極。對用于DC-AC功率轉(zhuǎn)換這類設(shè)備的IGBT產(chǎn)品,這促進(jìn)了對其大幅降低損耗的需求。然而,在對于降低功耗至關(guān)重要的飽合電壓(注1)和處理大電流的設(shè)備所要求的高短路耐受力之間存在平衡。我們很難實(shí)現(xiàn)低功耗和大約10微秒的高短路耐受力(注2),而這是在電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用中至關(guān)重要的考慮因素?;诖?,開發(fā)了這一高性能IGBT新產(chǎn)品。

            新款I(lǐng)GBT的主要特性:

            (1) 650V版本飽和電壓降為1.6V,1250V版本飽和電壓降為1.8V,從而實(shí)現(xiàn)更高的效率

            獨(dú)有的超薄技術(shù)使飽和電壓從瑞薩早期版本產(chǎn)品的1.8V(標(biāo)準(zhǔn)值)降低到現(xiàn)在650V版本的1.6V(標(biāo)準(zhǔn)值),從早期版本產(chǎn)品的2.1V降低至1250V版本的1.8V,分別降低了約12%和15%。這就降低了功耗并有助于提高效率。

            (2) 10微秒的高短路耐受力,可實(shí)現(xiàn)更高的可靠性水平

            對于大電流的應(yīng)用設(shè)備中至關(guān)重要的高短路耐受力,通過最優(yōu)的單元結(jié)構(gòu)技術(shù),已經(jīng)從瑞薩相對早期產(chǎn)品的8微秒(µs)提高到10µs或者更高。這就保證了用于太陽能逆變器的功率調(diào)節(jié)器等系統(tǒng)具有出色的穩(wěn)定性和強(qiáng)勁的性能。


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          關(guān)鍵詞: 瑞薩 晶圓 IGBT

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