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          觸控面板制程之化學二次強化的應用與制程問題討論

          作者:林彥甫,黃士瑋,余智林,陳毓正,顏錫鴻 時間:2012-08-16 來源:電子產品世界 收藏

            (1)強化玻璃本身材質的特性:玻璃材料若強化制程不同或是成份不同,其玻璃抗壓性質就會有所區(qū)別,舉例來說一般鈉鈣玻璃(Asahi Soda Lime Glass)的4pb數(shù)值會比Corning Gorilla玻璃還要低,這是因為Corning Gorilla玻璃為強化玻璃,由EDS分析(如圖10)有發(fā)現(xiàn)鉀離子的成份,而Asahi Soda Lime玻璃沒有鉀離子層份,此Gorilla 玻璃其鉀離子強化層約20~30μm,具有較佳的機械抗壓力,換言之,若玻璃本身的離子強化層越厚,就具備較佳的抗4pb能力?! ?/p>本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/135797.htm

          (參考數(shù)據(jù) : GPTC 化學二次強化實驗團隊提供)

            (2)玻璃切割與磨邊制程處理的條件:若玻璃切割與磨邊制程不佳,會產生許多>100μm以上的延伸性裂痕(crack),若要利用化學二次強化方式修補這樣范圍的延伸性裂痕,則會產生明顯的玻璃邊緣水波紋,對于現(xiàn)今OGS產品都走非遮蔽式的模塊結合制程,水波紋沒有辦法借由模塊框遮蔽,將會有外觀不良的問題。而選擇較佳的切割方式如調整切割下刀深度、切割角度,或是采用雷射切割方式,找到較佳的切割方向是必須的。另外,切割后的玻璃段面研磨(精雕)也是影響二次強化的主因之一,選擇較高番數(shù)的砥石去進行磨邊,降低延伸性裂痕的程度,將有助于化學二強的修補效果,但過高番數(shù)的精雕制程耗時且成本高,亦不具量產性。

            (3)抗酸膜或是抗酸油墨的制程手法與涂布精度:目前化學二次強化業(yè)界都采用抗HF的薄膜進行貼附,在OGS制程流程(如圖11)為在母基板 (sheet)切割為成品(chip)之后,將抗酸膜貼附在chip上,然后將chip裝置在Cassette中入HF蝕刻槽中進行玻璃段面微蝕刻制程,因此,抗酸膜貼覆的精度與氣泡是否存在則關系到HF時刻的效果,倘若抗酸膜貼覆精度不佳則會影響OGS玻璃邊緣的外觀,嚴重者侵蝕到BM邊緣,產品則需進行BM補色制程,降低產能。若是氣泡產生則可能侵蝕到OGS上面的金屬線路(metal or ITO pattern),產品無法重工需報廢處理,若氣泡出現(xiàn)在玻璃段面則會遮蔽強化的效果造成凸點,凸點將使OGS產品產生組裝不良的問題。近期發(fā)展出抗酸油墨制程,其成本低(約1/4的抗酸膜成本),不過技術上仍然有瓶頸存在,包括印刷精度問題和抗酸能力問題需要作提升?! ?/p>

           

            五. 化學二次強化制程與問題討論—制程條件部分

            化學二次強化制程相關的因素有:(1)HF化學成分與濃度的監(jiān)控(2)化學蝕刻制程溫度的管控(3)玻璃砂過濾處理問題( 4)蝕刻槽體較佳流場設計與過濾系統(tǒng)整合。

            (1) HF化學成分與濃度的監(jiān)控:由于化學二強主要是利用HF微蝕刻玻璃段面因切割產生的延伸性裂痕,使裂痕縮小甚至消失來提升產品的4pb能力,因此在制程中HF濃度會因為蝕刻SiO2而逐漸下降,影響到制程蝕刻速率,所以維持一定的HF濃度,穩(wěn)定蝕刻速率是化學二強的制程重點。依據(jù)化學方程式說明(如圖12),HF和SiO2反應會生成氟化硅(SiF4),在水中會水解生成氟化硅和氟酸,氟化硅與氟酸生成氟硅酸(六氟硅酸),六氟硅酸可溶于水純H2SiF6不穩(wěn)定,容易分解生成HF和SiF4。由GPTC二強實驗數(shù)據(jù)(如圖12)得知H2SiF6的增加會影響蝕刻速率(Etching Rate;ER)的下降,因此化學二次強化制程除了定時監(jiān)控HF濃度外,一般會在固定時間或是固定量的投產批次內,將HF槽內的舊酸排放更新,讓蝕刻速率回復水平。技術上來說使用氟離子偵測器或是水阻值計測量HF槽內的濃度或是水阻值表現(xiàn),可計算出氟離子的濃度。另外,加入副方化學成分如HCl、CH3CO2H對于蝕刻厚的玻璃表面也有不同的修飾效果。



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