英飛凌成功推出推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管

 　　2012年10月10日，德國紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管，壯大其SiC(碳化硅)產品陣容。

　　英飛凌榮獲專利的擴散焊接工藝早已應用于第三代產品，如今又成功地與更緊湊的全新設計和最新的薄晶圓技術有機結合在一起，改進了熱特性，并使一個優(yōu)值系數(Qc x Vf)與英飛凌前代SiC二極管相比降低了大約30%。其結果是，新一代產品相對于英飛凌以往各代thinQ!TM 產品， PFC升壓級在所有負載條件下的效率都得到了進一步的提升。英飛凌第五代產品的目標應用是高端服務器和電信SMPS(開關模式電源)、PC銀盒和照明應用、太陽能逆變器和UPS(不間斷電源)系統等。通過利用新一代器件，這些應用不但可以提高能效，而且還可以降低EMI(電磁干擾)，提高系統可靠性，以及縮減成本/尺寸——因制冷要求降低。

　　“自2001年首度推出SiC肖特基二極管以來，英飛凌大幅改進了其產品，并不斷壯大其產品陣容。SiC二極管是與眾不同的產品，能引領綠色能源未來。”英飛凌科技股份公司高壓功率轉換產品部負責人Jan-Willem Reynaerts指出，“第五代SiC二極管相對于以往推出的各代產品，可進一步改進系統能效和功率密度，同時具有極具吸引力的性價比。”

　　第三代產品的低容性電荷(Qc)值與第二代產品的正向電壓(Vf)水平相結合，使第五代產品的PFC電路達到最高效率水平。這種新一代器件具備更高的擊穿電壓：650V(第二代和第三代為600V)，完美匹配最新的CoolMOSTM技術。對于太陽能逆變器等應用以及具有挑戰(zhàn)性的SMPS環(huán)境而言，這種特性可實現更高的安全裕度。此外，第五代產品還具備高浪涌電流耐受性和更豐富的型號——包括具備更高額定電流和采用全新封裝(如TO-247 和ThinPAK)的產品。