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          導(dǎo)入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相

          —— 預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35~40%
          作者: 時(shí)間:2012-11-05 來(lái)源:SEMI 收藏

            鰭式電晶體()制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。正全力研發(fā)新一代制程技術(shù),預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應(yīng)用低功耗與高效能優(yōu)勢(shì),擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/138539.htm

            執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示,制程技術(shù)將會(huì)是聯(lián)電切入未來(lái)次世代通訊運(yùn)算市場(chǎng)的最佳利器。

            聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示,由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過(guò)程中,勢(shì)必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術(shù)才能實(shí)現(xiàn),而此一技術(shù)無(wú)論是微影機(jī)臺(tái)或人力研發(fā)等成本都相當(dāng)高昂,因此造成許多出貨量不大的IC設(shè)計(jì)商不愿投資大筆資金導(dǎo)入,間接使20nm市場(chǎng)需求無(wú)法擴(kuò)大。

            具備低功耗特性的FinFET制程技術(shù),盡管仍無(wú)法省去雙重曝光微影技術(shù)的成本,但卻能大幅提升單位面積內(nèi)電晶體的整體效能,降低IC設(shè)計(jì)商因雙重曝光微影技術(shù)所帶來(lái)的成本沖擊,因此遂成為各家晶圓代工業(yè)者爭(zhēng)相競(jìng)逐的技術(shù)。

            孫世偉進(jìn)一步指出,在IBMFinFET技術(shù)授權(quán)的基礎(chǔ)下,聯(lián)電將跳過(guò)20nm制程,直接跨入14nmFinFET制程技術(shù),藉此為通訊與行動(dòng)運(yùn)算領(lǐng)域客戶提供更具效能優(yōu)勢(shì)的解決方案。此一新制程目前正于南科研究中心全力研發(fā)中,預(yù)計(jì)2014年初可完成驗(yàn)證,并旋即進(jìn)行試產(chǎn)。

            然而,相較于臺(tái)積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)均表示將于2014年初量產(chǎn)16/14nmFinFET,聯(lián)電量產(chǎn)時(shí)程顯然稍慢,如何后發(fā)先至遂成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。孫世偉強(qiáng)調(diào),盡管聯(lián)電在此一制程上的研發(fā)起步較晚,但相對(duì)FinFET制程所需的機(jī)臺(tái)制造技術(shù)亦較為成熟,且設(shè)備價(jià)格也較為便宜,再加上與IBM技術(shù)交流等助益,未來(lái)量產(chǎn)品質(zhì)與時(shí)程都將可較競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更符合客戶需求。

            另一方面,聯(lián)電28nm產(chǎn)品線則可望于年底量產(chǎn),并于明年第一季開(kāi)始貢獻(xiàn)營(yíng)收。孫世偉補(bǔ)充,首波28nmPorting產(chǎn)品在經(jīng)過(guò)幾個(gè)月元件及制程參數(shù)調(diào)整后,良率已獲得顯著提升,且公司亦于第三季成功投片(Tapeout)使用28nm后閘極(Gate-last)高介電質(zhì)金屬閘極(HKMG)制程的行動(dòng)通訊產(chǎn)品,并陸續(xù)與相關(guān)客戶密切合作中。

            據(jù)悉,目前聯(lián)電晶圓廠產(chǎn)能利用率為84%,其中,40nm先進(jìn)制程比重持續(xù)提升中,且平均銷(xiāo)售單價(jià)較上季攀升,并已刺激營(yíng)業(yè)收入向上成長(zhǎng),而營(yíng)收貢獻(xiàn)亦從第二季9%成長(zhǎng)至第三季的13%,年底前則可望到達(dá)15%。

            除標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品外,聯(lián)電也開(kāi)始提供適用于觸控晶片領(lǐng)域的解決方案--embeddedFlash特殊制程技術(shù)平臺(tái),并已有數(shù)家主流觸控廠商開(kāi)始采用,而這些特殊制程技術(shù)也可望為聯(lián)電營(yíng)收成長(zhǎng)注入全新動(dòng)能。

            此外,對(duì)于各大晶圓廠皆預(yù)期第四季與明年初營(yíng)收成長(zhǎng)將趨緩,孫世偉表示,現(xiàn)今晶圓代工制造正處在庫(kù)存調(diào)整及景氣循環(huán)周期中,聯(lián)電預(yù)估此波庫(kù)存調(diào)整將持續(xù)至明年初,景氣回溫的脈動(dòng)將取決于明年總體經(jīng)濟(jì)、終端產(chǎn)品市場(chǎng)需求與新產(chǎn)品交替力道強(qiáng)弱;而公司未來(lái)將持續(xù)擴(kuò)大客戶層面,改善產(chǎn)品組合,并進(jìn)一步提升產(chǎn)能調(diào)配的彈性來(lái)降低周期性波動(dòng)所帶來(lái)的沖擊。



          關(guān)鍵詞: 聯(lián)電 處理器 14nm FinFET

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