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聯(lián)電 文章 進(jìn)入聯(lián)電技術(shù)社區(qū)
DUV曝光機(jī)光阻劑力拼島內(nèi)自給 核心材料明年供臺(tái)積電、聯(lián)電
- 中國(guó)臺(tái)灣自研重點(diǎn)放在半導(dǎo)體關(guān)鍵材料自主化,9家廠商年底將進(jìn)行終端產(chǎn)線驗(yàn)證。 最快明年深紫外光(DUV)曝光機(jī)的光阻劑核心材料,可打入臺(tái)積電、聯(lián)電等代工大廠產(chǎn)線中。微影制程是在晶圓上制作電路圖案,隨著精細(xì)度有DUV、EUV(極紫外光)差別。 光阻劑是一種光敏感材料,由樹(shù)脂、光敏感劑、溶劑和添加劑等組成,乃微影不可或缺重要材料。 至于曝光機(jī)的光罩部份,島內(nèi)像是家登都有生產(chǎn),比例已不低。但過(guò)去晶圓代工制程曾發(fā)生過(guò)光阻劑大缺貨,為了把關(guān)鍵材料掌握在自己手中,島內(nèi)推動(dòng)兩期半導(dǎo)體先進(jìn)制程與封裝材料研發(fā)。 第一期202
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聯(lián)電新加坡Fab 12i P3新廠首批設(shè)備到廠
- 據(jù)聯(lián)電(UMC)官網(wǎng)消息,5月21日,聯(lián)電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴(kuò)建新廠的上機(jī)典禮,首批設(shè)備到廠,象征公司擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃建立新廠的重要里程碑。據(jù)悉,聯(lián)電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓代工廠之一,提供22/28nm制程,以支持5G、物聯(lián)網(wǎng)和車用電子等領(lǐng)域需求,總投資金額為50億美元。據(jù)了解,聯(lián)電早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3廠的擴(kuò)建計(jì)劃。當(dāng)時(shí)消息稱,新廠第一期月產(chǎn)能規(guī)劃30,000片晶圓,2024年底開(kāi)始量產(chǎn),后又在2022年底稱,在過(guò)程中因缺工缺料及
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨(2)日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案,此55奈米R(shí)FSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù),在不損耗射頻(RF)效能下,可將芯片尺寸縮小逾45%,聯(lián)電表示,此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR,為加速5G世代鋪路,且該制程已獲得多項(xiàng)國(guó)際專利,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示,RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對(duì)頻段數(shù)量需求的不斷增長(zhǎng),聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對(duì)晶圓的鍵合技術(shù),并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題,將裝置中
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聯(lián)電:3D IC解決方案已獲得客戶采用,預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)
- 近日,晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì),公布2024年第一季財(cái)報(bào),合并營(yíng)收546.3億元新臺(tái)幣,較2023年第四季549.6億元新臺(tái)幣減少0.6%,較2023年第一季542.1億元新臺(tái)幣成長(zhǎng)0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%,歸屬母公司凈利104.6億元新臺(tái)幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示,由于電腦領(lǐng)域需求回升,第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(zhǎng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%,成本控管及營(yíng)運(yùn)效率提升,仍維持相對(duì)穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下,特殊制程占總營(yíng)收
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劍指 12nm,英特爾與聯(lián)電結(jié)盟的五大利好
- 1 月 25 日,處理器大廠英特爾與晶圓代工大廠聯(lián)華電子公司聯(lián)合宣布,他們將合作開(kāi)發(fā) 12nm 半導(dǎo)體工藝平臺(tái),以滿足移動(dòng)、通信基礎(chǔ)設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)等高增長(zhǎng)市場(chǎng)的需求。據(jù) TrendForce 集邦咨詢研究顯示,2023 年 Q3 全球晶圓代工前十排名再度刷新,英特爾躋身第九,聯(lián)電排名第四。在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)不斷擴(kuò)大和競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下,英特爾和聯(lián)電的抱團(tuán)不僅標(biāo)志著兩家想要在技術(shù)研發(fā)上取得突破,也預(yù)示了未來(lái)晶圓代工格局可能產(chǎn)生變化。此次英特爾和聯(lián)電的聯(lián)手,分別可以給雙方帶來(lái)哪些好處?在此之前,先了解一下本次合作
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聯(lián)電10月?tīng)I(yíng)收 寫(xiě)九個(gè)月新高
- 公布10月合并營(yíng)收191.91億元,月微增0.7%,仍寫(xiě)九個(gè)月?tīng)I(yíng)收新高,年減21.2%。市場(chǎng)法人認(rèn)為,在該公司預(yù)估第四季出貨小減約5%、ASP(平均銷售單價(jià))持平上季的狀況下,第四季營(yíng)收將可望持平或小幅低于上季表現(xiàn)。聯(lián)電公布10月自結(jié)合并營(yíng)收191.91億元,月增0.73%,為今年與同期次高,但年減21.17%,累計(jì)前十月?tīng)I(yíng)收1,867.66億元,為同期次高,年減20.6%。聯(lián)電先前法說(shuō)會(huì)釋出第四季展望,認(rèn)為計(jì)算機(jī)和通訊領(lǐng)域的短期需求逐漸回溫,但車用市場(chǎng)狀況仍具挑戰(zhàn)性,客戶仍采謹(jǐn)慎保守方式管理庫(kù)存,因此,
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晶圓代工大廠公布最新?tīng)I(yíng)收,全年資本支出不變
- 晶圓代工大廠聯(lián)電公布2023年5月自結(jié)合并營(yíng)收,金額來(lái)到新臺(tái)幣187.78億元,較4月增加1.72%,較2022年同期減少達(dá)23.14%,為2023年次高成績(jī)。累計(jì),2023年前5個(gè)月?tīng)I(yíng)收為914.49億元,較2022年同期減少17.35%,也為同期次高成績(jī)。先前聯(lián)電法說(shuō)時(shí)曾表示,由于市場(chǎng)需求仍低迷、客戶持續(xù)庫(kù)存調(diào)整,未見(jiàn)明確復(fù)蘇跡象。因此,預(yù)期2023年第二季晶圓出貨量及美元平均售價(jià)將較首季持穩(wěn),毛利率預(yù)計(jì)維持34%~36%、產(chǎn)能利用率為71%~73%,全年資本支出維持30億美元不變。另外,在先前股東會(huì)
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南科突發(fā)壓降事件!聯(lián)電:部分晶圓報(bào)廢;臺(tái)積電:不影響運(yùn)營(yíng)
- 6月1日下午,中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)南部科學(xué)園區(qū)發(fā)生壓降情況。對(duì)于壓降事件的發(fā)生,南科管理局指出,臺(tái)電豐華D/S變電所下午2時(shí)59分因161kV GIS隔離開(kāi)關(guān)故障,發(fā)生電力壓降,造成臺(tái)南園區(qū)及高雄園區(qū)部分廠商電壓驟降。資料顯示,臺(tái)積電和聯(lián)電分別為全球排名第一和第三的晶圓代工廠商,均在臺(tái)南擁有多座晶圓廠。而此次事件也引發(fā)了業(yè)界對(duì)企業(yè)運(yùn)營(yíng)狀況及全球半導(dǎo)體產(chǎn)能的高度關(guān)注。對(duì)此,臺(tái)積電和聯(lián)電均在當(dāng)天作出了回應(yīng)。臺(tái)積電不對(duì)營(yíng)運(yùn)造成影響臺(tái)積電表示,受影響的廠區(qū)電力供應(yīng)均迅速恢復(fù)正常,不預(yù)期對(duì)營(yíng)運(yùn)造成影響,詳細(xì)壓降原因依臺(tái)電公
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傳赴日設(shè)新晶圓廠?聯(lián)電否認(rèn)
- 聯(lián)電近年來(lái)積極布局車用芯片市場(chǎng),2022年整體營(yíng)收占比已達(dá)9%,而據(jù)日媒報(bào)導(dǎo)指出,聯(lián)電因?yàn)榭春密囉眯酒枨蠓€(wěn)健,考慮投資5,000億日?qǐng)A在日本三重縣桑名市的現(xiàn)有晶圓廠區(qū)內(nèi)再興建一座新晶圓廠。不過(guò),聯(lián)電對(duì)此表示并無(wú)此事。聯(lián)電過(guò)去在日本擁有一座8吋晶圓代工廠聯(lián)日半導(dǎo)體(UMC Japan),但已于2012年宣布清算并結(jié)束營(yíng)運(yùn)。不過(guò),日本IDM廠過(guò)去十年內(nèi)的積極整并,聯(lián)電2019年完全收購(gòu)富士通半導(dǎo)體旗下位于日本三重縣桑名市的12吋晶圓廠并成立USJC子公司,成功卡位日本晶圓代工市場(chǎng)。聯(lián)電日本12吋廠第一季平均
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晶圓代工廠聯(lián)電公布最新財(cái)報(bào) 產(chǎn)業(yè)進(jìn)入庫(kù)存調(diào)整期
- 近期,半導(dǎo)體晶圓代工廠聯(lián)電公布最新財(cái)報(bào),公司11月?tīng)I(yíng)收225.45億元新臺(tái)幣,相較去年同期的196.61億元新臺(tái)幣增加14.67%,環(huán)比減少7.39%,連續(xù)三個(gè)月出現(xiàn)衰退;累計(jì)2022年前11月合并營(yíng)收2577.59億元新臺(tái)幣,相較去年同期的1927.31億元新臺(tái)幣增加了33.74%。據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,聯(lián)電總經(jīng)理王石此前在法說(shuō)會(huì)上預(yù)估,第四季度晶圓出貨量將減少約10%,產(chǎn)品平均售價(jià)持平,毛利率將約41%至43%,產(chǎn)能利用率恐將降至90%,11月?tīng)I(yíng)收呈現(xiàn)月減,符合法說(shuō)會(huì)提出產(chǎn)業(yè)進(jìn)入庫(kù)存調(diào)整的預(yù)期。
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聯(lián)電與Cadence共同開(kāi)發(fā)認(rèn)證的毫米波參考流程達(dá)成一次完成硅晶設(shè)計(jì)
- 聯(lián)華電子與全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)廠商益華計(jì)算機(jī)(Cadence Design Systems, Inc.)于今(30)日宣布雙方合作經(jīng)認(rèn)證的毫米波參考流程,成功協(xié)助亞洲射頻IP設(shè)計(jì)的領(lǐng)導(dǎo)廠商聚睿電子(Gear Radio Electronics),在聯(lián)電28HPC+ 制程技術(shù)以及Cadence? 射頻(RF)解決方案的架構(gòu)下,達(dá)成低噪音放大器 (LNA) IC一次完成硅晶設(shè)計(jì)(first-pass silicon success) 的非凡成果。 經(jīng)驗(yàn)證的聯(lián)電28HPC+解決方案非常適合生產(chǎn)應(yīng)用于高
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聯(lián)電 啟動(dòng)供應(yīng)鏈碳盤(pán)查計(jì)劃
- 聯(lián)電9日舉行年度供貨商大會(huì),宣布正式啟動(dòng)「供應(yīng)鏈碳盤(pán)查輔導(dǎo)計(jì)劃」,提供顧問(wèn)資源平臺(tái)與工具,攜手供貨商進(jìn)行溫室氣體盤(pán)查及管理,預(yù)計(jì)至2030年完成500家供貨商碳盤(pán)查輔導(dǎo)作業(yè)。聯(lián)電供貨商大會(huì)總計(jì)有超過(guò)200家供貨商熱情響應(yīng)及參與?,F(xiàn)場(chǎng)的低碳供應(yīng)鏈宣誓儀式,除聯(lián)電總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰、副總廖木良及資材處協(xié)理謝集國(guó)代表外,也邀請(qǐng)環(huán)球晶、美日先進(jìn)光罩(PDMC)、默克、應(yīng)用材料、科磊(KLA)等廠商一同宣誓,希望結(jié)合供貨商伙伴的力量,邁向整體供應(yīng)鏈2030年達(dá)到減碳20%目標(biāo)。聯(lián)電為協(xié)助供貨商建立碳盤(pán)查能力,預(yù)計(jì)將投入新
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 供應(yīng)鏈 碳盤(pán)查
聯(lián)電看后市 明年Q2觸底回升
- 晶圓代工大廠聯(lián)電受惠于產(chǎn)能滿載及新臺(tái)幣貶值,第三季合并營(yíng)收753.92億元續(xù)創(chuàng)歷史新高,第四季因客戶進(jìn)行庫(kù)存去化而減少投片,預(yù)期產(chǎn)能利用率將出現(xiàn)下滑,明年第一季有機(jī)會(huì)觸底并在第二季回升。聯(lián)電21日宣布,獲英飛凌最佳晶圓代工獎(jiǎng)肯定,未來(lái)將在車用電子、5G、人工智能物聯(lián)網(wǎng)(AIoT)等領(lǐng)域擴(kuò)大合作。聯(lián)電并在吉隆坡舉行的英飛凌2022年全球供貨商活動(dòng)中,獲得英飛凌最佳晶圓代工獎(jiǎng),肯定聯(lián)電在近期供應(yīng)鏈中斷情況下,持續(xù)致力于卓越制造并堅(jiān)定履行對(duì)客戶承諾的貢獻(xiàn)。英飛凌營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)Rutger Wijburg表示,感謝過(guò)去兩
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聯(lián)電與Cadence攜手22納米模擬與混合信號(hào)設(shè)計(jì)認(rèn)證
- 聯(lián)華電子與Cadence于今(8月24)日共同宣布,Cadence的模擬與混合信號(hào)(Analog/Mixed Signal, AMS)芯片設(shè)計(jì)流程獲得聯(lián)華電子22納米超低功耗 (22ULP)與22納米超低漏電(22ULL)制程認(rèn)證,此流程可優(yōu)化制程效率、縮短設(shè)計(jì)時(shí)間,加速5G、物聯(lián)網(wǎng)和顯示等應(yīng)用設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā),滿足日漸增高的市場(chǎng)需求。 聯(lián)電的22納米制程具有超低功耗和超低漏電的技術(shù)優(yōu)勢(shì),可滿足在科技創(chuàng)新發(fā)展下,使用時(shí)間長(zhǎng)、體積小、運(yùn)算強(qiáng)的應(yīng)用需求。經(jīng)聯(lián)電認(rèn)證的Cadence AMS設(shè)計(jì)流程,提供了整合
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 Cadence 22納米 模擬與混合信號(hào)
聯(lián)電介紹
臺(tái)灣聯(lián)電集團(tuán)總部設(shè)在臺(tái)灣,集團(tuán)旗下有5家晶圓代工廠,包括聯(lián)電、聯(lián)誠(chéng)、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉以及最新投資的合泰半導(dǎo)體,是全球半導(dǎo)體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門(mén)子. 根據(jù)"經(jīng)濟(jì)部中央標(biāo)準(zhǔn)局"公布的近5年島內(nèi)百大"專利大戶"名單,以申請(qǐng)件數(shù)排名, 聯(lián)電第一、工研院第二、臺(tái)積電第三;就取得美國(guó)專利件數(shù)而言,1993年至1997年所累積的件數(shù),聯(lián)電是臺(tái)積電的兩倍、工研院的3倍. [ 查看詳細(xì) ]
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