電流或大幅降低 未來納米芯片設(shè)計受到挑戰(zhàn)

　　一群來自加拿大麥基爾大學(McGillUniversity)的物理學家們證實，當導線是由兩種不同的金屬組成時，電流有可能會大幅度降低;這意味著未來的半導體設(shè)計可能遇到障礙。

　　上述研究人員是與美國汽車大廠通用(GM)研發(fā)部門共同合作，發(fā)現(xiàn)讓人驚訝的電流遽降現(xiàn)象;顯示在新興的納米電子領(lǐng)域，材料的選擇與元件設(shè)計可能會成為一大挑戰(zhàn)。隨著半導體元件尺寸持續(xù)微縮，未來芯片的設(shè)計工程師將需要了解，當金屬導線直徑被局限到僅有幾個原子寬時，電荷的行為模式是如何變化。

　　麥基爾大學物理學教授PeterGrutter表示，當芯片線路尺寸逐漸微縮至原子等級，電流阻抗將不再隨著元件的微縮以恒定速率增加;相反的，電阻會“到處亂跳”，展現(xiàn)量子力學的反直覺效應(counterintuitiveeffect)。

　　“這個現(xiàn)象可以用橡膠水管來比喻;”Grutter表示：“如果你讓水壓保持恒定，當你縮小水管的直徑，出來的水量就會比較少;而如果你將水管的尺寸縮小到麥稈大小，直徑僅2~3個原子寬，出水量將不再隨著水管橫切面尺寸成比例縮減，其量化(跳躍)方式會是變動的。”

　　Grutter與麥基爾大學同仁以及GM的研究人員將這種“量子怪現(xiàn)象(quantumweirdness)”寫成論文，發(fā)表在美國國家科學院公報(ProceedingsoftheNationalAcademyofSciences);該團隊研究了一種超小型的金與鎢(tungsten)合金觸點，這兩種金屬目前時常組合應用于半導體元件中，做為連結(jié)裝置內(nèi)不同零組件的導線。

　　在Grutter的實驗室內(nèi)，研究人員以先進的顯微鏡技術(shù)，以原子及精密度擷取鎢探針與金表面的圖像，并以控制精度(precisely-controlled)方法將這兩種金屬結(jié)合;而他們發(fā)現(xiàn)，通過這種合金觸點的電流比預期低很多。

　　麥基爾大學研究團隊與來自GM研發(fā)中心的科學家YueQi合作，完成了這種合金觸點的原子結(jié)構(gòu)機械模型，證實兩種金屬之間電子結(jié)構(gòu)的相異性會導致電流降低四倍，就算兩種材料達成完美介面(perfectinterface)也是一樣。

　　此外研究人員也發(fā)現(xiàn)，因為結(jié)合兩種金屬材料而產(chǎn)生的晶體缺陷(crystaldefect)──正常情況下完美排列的原子發(fā)生錯位--是造成電流下降現(xiàn)象的進一步原因。

　　“我們觀察到的電流下降幅度，比大多數(shù)專家所預期的高出十倍之多。”Grutter表示，它們的研究結(jié)果顯示，未來需要有更多相關(guān)研究來克服這樣的問題，可能是透過材料的選擇或是其他的處理技術(shù)：“要找到解決方案的第一步就是意識到這樣的問題，而我們是第一次證實這是納米電子系統(tǒng)會遭遇的大問題。”