納米 文章 進入納米技術(shù)社區(qū)
佳能押注納米壓印技術(shù) 價格比阿斯麥EUV光刻機“少一位數(shù)”
- 11月6日消息，日本佳能一直在投資納米壓?。∟ano-imprint Lithography，NIL）這種新的芯片制造技術(shù)，并計劃將新型芯片制造設備的價格定在阿斯麥最好光刻機的很小一部分，從而在光刻機領域取得進展。納米壓印技術(shù)是極紫外光刻（EUV）技術(shù)的低成本替代品。佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示，該公司最新的納米壓印技術(shù)將為小型芯片制造商生產(chǎn)先進芯片開辟出一條道路。“這款產(chǎn)品的價格將比阿斯麥的EUV少一位數(shù)，”現(xiàn)年88歲的御手洗富士夫表示。這是他第三次擔任佳能總裁，上一次退
- 關鍵字： 佳能 納米 壓印技術(shù) 阿斯麥 EUV 光刻機
新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程
- 摘要：●? ?全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造，提供開放、高效的射頻設計解決方案。●? ?業(yè)界領先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統(tǒng)的性能和功耗效率?！? ?集成的設計流程提升了開發(fā)者的生產(chǎn)率，提高了仿真精度，并加快產(chǎn)品的上市時間。近日宣布，攜手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向臺積公司業(yè)界領先N4PRF工藝（4納米射頻FinFET工藝）的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設計系列產(chǎn)品，為追求更高預測精度
- 關鍵字： 新思科技 是德科技 Ansys 臺積公司 4 納米 射頻 FinFET 射頻芯片設計
3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？
- 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
- 關鍵字： DRAM 3D DRAM 華為 三星 美光 制程 納米
中科院研發(fā)低維半導體技術(shù)：納米畫筆“畫出”各種芯片
- 中科院今天宣布,國內(nèi)學者研發(fā)出了一種簡單的制備低維半導體器件的方法——用“納米畫筆”勾勒未來光電子器件,它可以“畫出”各種需要的芯片。隨著技術(shù)的發(fā)展,人們對半導體技術(shù)的要求越來越高,但是半導體制造難度卻是越來越大,10nm以下的工藝極其燒錢,這就需要其他技術(shù)。中科院表示,可預期的未來,需要在更小的面積集成更多的電子元件。針對這種需求,厚度僅有0.3至幾納米(頭發(fā)絲直徑幾萬分之一)的低維材料應運而生。這類材料可以比作超薄的紙張,只是比紙薄很多,可以用于制備納米級別厚度的電子器件。從材料到器件,現(xiàn)有的制備工藝
- 關鍵字： 芯片 中科院 納米
從性能提升到生態(tài)擴展，看Qualcomm勾勒5G未來
- 如何不斷提升5G性能，持續(xù)擴展5G生態(tài)，成為2020年行業(yè)重點考慮的5G發(fā)展議題。近日，Qualcomm舉辦了一場線上新聞發(fā)布會，聚焦5G發(fā)布了多款全新產(chǎn)品，Qualcomm首席執(zhí)行官史蒂夫·莫倫科夫（Steve Mollenkopf）和總裁安蒙（Cristiano Amon）攜手來自三星、愛立信、Facebook、微軟公司、樂天公司的合作伙伴，共同分享和探討了5G網(wǎng)絡和終端發(fā)展新態(tài)勢，并展望未來5G演進方向以及在更多行業(yè)開創(chuàng)的新機遇。Qualcomm首席執(zhí)行官史蒂夫·莫倫科夫發(fā)表演講雖有挑戰(zhàn) 5G發(fā)展勢
- 關鍵字： 納米 生態(tài)
美光推出面向移動應用、堪稱業(yè)內(nèi)容量最高的單片式內(nèi)存
- 新聞摘要：? 16Gb LPDDR4X改進了能耗、速度和業(yè)內(nèi)最高容量的單片式裸晶，它的推出進一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領域的領先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機設計更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個智能手機中提供高達 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當前和下一代
- 關鍵字： LPDDR4X 批量生產(chǎn)進入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點
隆重推出英特爾Agilex FPGA，迎接以數(shù)據(jù)為中心的計算新時代
- 作者/Dan McNamara 英特爾公司高級副總裁兼可編程解決方案事業(yè)部總經(jīng)理 基于 10 納米技術(shù)構(gòu)建的全新英特爾? FPGA 提供了比前代FPGA 更高的性能，并且降低了能耗從邊緣到網(wǎng)絡再到云，以數(shù)據(jù)為中心的計算新時代已經(jīng)到來。海量數(shù)據(jù)對處理數(shù)據(jù)的硬件、軟件和解決方案的靈活性和敏捷性提出了迫切的需求，無論數(shù)據(jù)在何處創(chuàng)建、傳輸與存儲?！ ?shù)據(jù)的激增和利用數(shù)據(jù)盈利的競爭正在為客戶創(chuàng)造新的機會，幫助他們在各個細分市場進行創(chuàng)新。其中，現(xiàn)場可編程邏輯門陣列 (FPGA) 一直備受矚目?！ ∫虼耍谟⑻貭?/li>
- 關鍵字： 201905 英特爾 10 納米 ? FPGA
如何替代用于潔凈化學品交付的玻璃容器
- 隨著半導體行業(yè)塌縮到更小的節(jié)點和/或采用 3D NAND等復雜的體系結(jié)構(gòu)，以繼續(xù)追趕或取代摩爾定律，業(yè)界關注的焦點往往是制程優(yōu)化和化學配方改良。業(yè)界似乎很少考慮輔助技術(shù)，而此類技術(shù)對于滿足當今細微特征和復雜結(jié)構(gòu)的需求而言同樣重要。在半導體制造制程中，以前化學品的交付并未被視為關鍵領域之一，但現(xiàn)在正變得越來越重要?！ ∫约觼霾Ａ繛槔?，它用于包裝、存儲、運輸和交付潔凈的制程用化學品，如光刻膠、蝕刻劑、前驅(qū)體、電介質(zhì)等。多年來，這些容器對于當時的任務而言是適合的而且經(jīng)濟上很劃算。然而， 隨著今天的
- 關鍵字： 晶圓 10 納米
我國納米專利申請量世界第一 專家：催化研究最具前景
- 中國投入進行納米科研已有數(shù)十年時間，已經(jīng)成為當今世界納米科學與技術(shù)進步重要的貢獻者，部分基礎研究居國際領先水平，中國納米科技應用研究與成果轉(zhuǎn)化的成效也已初具規(guī)模。這一判斷來自由施普林格?自然集團、國家納米科學中心和中國科學院文獻情報中心29日在第七屆中國國際納米科學技術(shù)會議上聯(lián)合發(fā)布的《國之大器 始于毫末—中國納米科學與技術(shù)發(fā)展狀況概覽》(中英文)白皮書。 8月29日，第七屆中國國際納米科學技術(shù)會議在北京召開，大會吸引來自全球30多個國家和地區(qū)的2000多名代表出席。在大會開幕式上，
- 關鍵字： 納米
中國科大設計合成出新型多形體硫化物半導體納米異質(zhì)結(jié)
- 近日，中國科學技術(shù)大學教授俞書宏課題組與李震宇課題組合作，在多形體硫化物半導體的設計合成及光電轉(zhuǎn)換應用方面取得了新進展。研究成果以封面論文發(fā)表在9月26日出版的《美國化學會志》(J. Am. Chem. Soc. 2016,138(39), 12913-12919)上，并被JACS Spotlights選為研究亮點。 新穎的納米晶材料的合成及其形成機理是目前膠體濕化學方法合成納米晶研究的重點。硫化銅(Cu2-xS)是一類傳統(tǒng)的半導體材料，隨著x值的變化呈現(xiàn)出不同的晶體結(jié)構(gòu)，當x值增加時，其禁帶寬
- 關鍵字： 半導體 納米
納米介紹
納米是長度單位，原稱毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬分之一毫米）。納米科學與技術(shù)，有時簡稱為納米技術(shù)，是研究結(jié)構(gòu)尺寸在1至100納米范圍內(nèi)材料的性質(zhì)和應用。納米效應就是指納米材料具有傳統(tǒng)材料所不具備的奇異或反常的物理、化學特性，如原本導電的銅到某一納米級界限就不導電，原來絕緣的二氧化硅、晶體等，在某一納米級界限時開始導電。這是由于納米材料具有顆粒尺寸小、比表面 [ 查看詳細 ]
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