歐司朗紅外線薄膜芯片效率大幅躍進(jìn)至72％

　　歐司朗光電半導(dǎo)的紅外線芯片原型產(chǎn)品創(chuàng)新紀(jì)錄，效率最高可達(dá)72%。在實(shí)驗(yàn)室條件下，1 A 操作電流下的輸出約為930 mW，這芯片的光輸出比市面上目前可得的芯片高約25%，這表示，未來的紅外線LED省電效率將會(huì)更高。

　　這項(xiàng)由雷根斯堡研發(fā)實(shí)驗(yàn)室得出的成果，創(chuàng)造了新的里程碑。芯片的波長(zhǎng)為850 nm，以紅外線薄膜芯片技術(shù)制成的1 mm2 芯片，在100 mA 的操作電流下的效率可達(dá)72%。這種效率稱為功率轉(zhuǎn)換效率(wall plug efficiency，簡(jiǎn)稱WPE)，指的是輻射功率轉(zhuǎn)換成電輸出功率的效率。

　　外部量子效率(external quantum efficiency，簡(jiǎn)稱EQE)，也就是從每個(gè)電子中創(chuàng)造出光子以及從LED芯片發(fā)射出來的機(jī)率，最高可高達(dá)67%，在最高1A 操作電流下也高于64%。

　　這個(gè)芯片原型產(chǎn)品的波長(zhǎng)為850 nm，比較適合紅外線照明，尤其是用于監(jiān)視以及閉路電視攝影機(jī)之用。這也可以用在某些極具潛力的汽車安全裝置上，例如防碰撞感應(yīng)器以及夜視系統(tǒng)的照明光源。

　　歐司朗光電半導(dǎo)體雷根斯堡總部的 IRED 開發(fā)專案經(jīng)理 Markus Br?ll 指出:“提高效率與亮度的作法，可以從850 nm 轉(zhuǎn)移到其他的波長(zhǎng)上去。這代表紅外線照明未來很可能創(chuàng)造出省電效率更高的解決方案。”不僅如此，在多芯片應(yīng)用所需要的元件將會(huì)更少，這可以省錢及節(jié)能。預(yù)計(jì)新的芯片會(huì)在明年初與明年中之間加入系列化產(chǎn)品。