三星領(lǐng)先臺(tái)積 14納米進(jìn)化

　　三星21日宣布成功試產(chǎn)第1顆導(dǎo)入3D 鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的14納米測(cè)試芯片，進(jìn)度領(lǐng)先臺(tái)積電，顯示在蘋(píng)果「去三星化」趨勢(shì)已定下，三星力拚臺(tái)積電的野心只增不減。

　　韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(dǎo)(Mentor)與新思(Synopsis)共同合作，成功試產(chǎn)出旗下第1顆采用FinFET技術(shù)的14納米測(cè)試芯片。

　　三星系統(tǒng)芯片部門(mén)主管表示，14納米FinFET制程技術(shù)可提升電子裝置效能并降低耗電量，進(jìn)一步改善行動(dòng)環(huán)境，這也是IBM之后，第2家搭載安謀處理器架構(gòu)，試產(chǎn)成功的14納米FinFET測(cè)試芯片。

　　晶圓代工行動(dòng)裝置芯片商機(jī)大，F(xiàn)inFET技術(shù)可以解決不斷微縮的納米芯片的漏電問(wèn)題。三星原本預(yù)計(jì)14納米FinFET于2014年量產(chǎn)，與臺(tái)積電規(guī)劃的16納米FinFET同步。隨著三星14納米FinFET試產(chǎn)芯片推出，半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，三星FinFET不排除提前半年量產(chǎn)。

　　臺(tái)積電面臨三星來(lái)勢(shì)洶洶的競(jìng)爭(zhēng)外，格羅方德9月也宣布推出以FinFET導(dǎo)入的14納米元件，預(yù)計(jì)2013年底進(jìn)入客戶(hù)試產(chǎn)階段，2014年正式量產(chǎn);聯(lián)電則預(yù)計(jì)2014年試產(chǎn)。

　　臺(tái)積電為了防堵競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，預(yù)計(jì)使用安謀首款64位元處理器「v8」來(lái)測(cè)試16納米FinFET制程，預(yù)計(jì)明年11月推出首款測(cè)試芯片，最快2014年量產(chǎn)。臺(tái)積電南科14廠將作為第1個(gè)量產(chǎn)16納米FinFET基地，再下一個(gè)世代的10納米FinFET制程，預(yù)計(jì)于2015年底推出。